[发明专利]四方扁平无引脚封装制程有效
申请号: | 200910004086.4 | 申请日: | 2009-02-09 |
公开(公告)号: | CN101764073A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
发明(设计)人: | 沈更新;林峻莹 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/78;H01L23/488;H01L25/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 四方 扁平 引脚 封装 | ||
1.一种四方扁平无引脚封装制程,包括:
提供一图案化导电层及位于该图案化导电层上的一图案化焊罩层,该图案 化焊罩层暴露出部分该图案化导电层;
在该图案化焊罩层上配置多个芯片,该些芯片及该图案化导电层分别位于 该图案化焊罩层的上下两侧;
透过多条焊线将该些芯片电性连接于被该图案化焊罩层暴露出的部分该 图案化导电层,其中该些芯片及该些焊线位于该图案化导电层的同一侧;
形成至少一封装胶体以包覆该图案化导电层、该图案化焊罩层、该些芯片 及该些导线;以及
分割该封装胶体、该图案化导电层及该图案化焊罩层。
2.如权利要求1所述的四方扁平无引脚封装制程,其特征在于,提供该图 案化导电层及该图案化焊罩层的方法包括:
提供一导电层;
在该导电层上形成一焊罩层;
图案化该焊罩层以形成该图案化焊罩层,其中该图案化焊罩层暴露出部分 该导电层;以及
图案化该导电层以形成该图案化导电层。
3.如权利要求1所述的四方扁平无引脚封装制程,其特征在于,提供该图 案化导电层及该图案化焊罩层的方法包括:
提供一焊罩层;
在该焊罩层上形成一导电层;
图案化该焊罩层以形成该图案化焊罩层,其中该图案化焊罩层暴露出部分 该导电层;以及
图案化该导电层以形成该图案化导电层。
4.如权利要求1所述的四方扁平无引脚封装制程,其特征在于,提供该图 案化导电层及该图案化焊罩层的方法包括:
提供一导电层;
在该导电层上形成一焊罩层;
图案化该导电层以形成该图案化导电层;以及
图案化该焊罩层以形成该图案化焊罩层,使该图案化焊罩层暴露出部分该 导电层。
5.如权利要求1所述的四方扁平无引脚封装制程,其特征在于,提供该图 案化导电层及该图案化焊罩层的方法包括:
提供一焊罩层;
在该焊罩层上形成一导电层;
图案化该导电层以形成该图案化导电层;以及
图案化该焊罩层以形成该图案化焊罩层,使该图案化焊罩层暴露出部分该 导电层。
6.如权利要求1所述的四方扁平无引脚封装制程,其特征在于,多个第一 开口被形成于该图案化焊罩层,其中该些第一开口暴露出部分该图案化导电 层。
7.如权利要求1所述的四方扁平无引脚封装制程,其特征在于,更包括形 成位于该些芯片及该图案化焊罩层之间的一粘着层。
8.如权利要求7所述的四方扁平无引脚封装制程,其特征在于,该粘着层 为一B阶粘着层。
9.如权利要求8所述的四方扁平无引脚封装制程,其特征在于,该B阶 粘着层预先被形成于该芯片的一背面。
10.如权利要求8所述的四方扁平无引脚封装制程,其特征在于,在该些 芯片被贴附于该图案化焊罩层之前,该B阶粘着层被形成于该图案化焊罩层上。
11.如权利要求1所述的四方扁平无引脚封装制程,其特征在于,该图案 化焊罩层为一B阶层。
12.如权利要求11所述的四方扁平无引脚封装制程,其特征在于,该B 阶层的材质为感光材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造