[发明专利]划片加工性优异的QFN封装用铜合金板和QFC封装

权利要求书

1.一种QFN封装用铜合金板，其特征在于，含有Fe：0.01～0.50质量％、P：0.01～0.20质量％，余量为Cu和不可避免的杂质，并且，显微维氏硬度为150以上，均匀延伸率为5％以下，且局部延伸率为10％以下。

2.根据权利要求1所述的QFN封装用铜合金板，其特征在于，还含有Sn：0.005～5.0质量％。

3.根据权利要求1所述的QFN封装用铜合金板，其特征在于，还含有Zn：0.005～3.0质量％。

4.根据权利要求1所述的QFN封装用铜合金板，其特征在于，还含有合计为0.2质量％以下的Co、Cr、Mn、Mg。

5.根据权利要求1所述的QFN封装用铜合金板，其特征在于，还含有合计为0.1质量％以下的Al、Ag、B、Be、In、Si、Ti、Zr。

6.根据权利要求1所述的QFN封装用铜合金板，其特征在于，O为100ppm以下，H为5ppm以下，S为100ppm以下。

7.一种QFN封装，其特征在于，具有由铜合金构成的导线架，所述铜合金含有Fe：0.01～0.50质量％、P：0.01～0.20质量％，余量为Cu及不可避免的杂质，并且，显微维氏硬度为150以上，均匀延伸率为5％以下，且局部延伸率为10％以下。

8.根据权利要求7所述的QFN封装，其特征在于，所述铜合金还含有Sn：0.005～5.0质量％。

9.根据权利要求7所述的QFN封装，其特征在于，所述铜合金还含有Zn：0.005～3.0质量％。

10.根据权利要求7所述的QFN封装，其特征在于，所述铜合金还含有合计为0.2质量％以下的Co、Cr、Mn、Mg。

11.根据权利要求7所述的QFN封装，其特征在于，所述铜合金还含有合计为0.1质量％以下的Al、Ag、B、Be、In、Si、Ti、Zr。

12.根据权利要求7所述的QFN封装，其特征在于，在所述铜合金中，O为100ppm以下，H为5ppm以下，S为100ppm以下。

13.一种铜合金制导线架，其用于权利要求7所述的QFN封装。

14.一种QFN封装用铜合金板，其特征在于，含有Ni：0.05～2质量％、P：0.001～0.3质量％、Zn：0.005～5质量％，余量为Cu和不可避免的杂质，并且，显微维氏硬度为150以上，均匀延伸率为5％以下，且局部延伸率为10％以下。

15.根据权利要求14所述的QFN封装用铜合金板，其特征在于，还含有Fe：1质量％以下、Sn：1.5质量％以下中的至少一种。

16.根据权利要求14所述的QFN封装用铜合金板，其特征在于，还含有合计为0.2质量％以下的Co、Cr、Mn、Mg、Si。

17.根据权利要求14所述的QFN封装用铜合金板，其特征在于，还含有合计为0.1质量％以下的Al、Zr、In、Ti、B、Ag、Be。

18.根据权利要求14所述的QFN封装用铜合金板，其特征在于，O为100ppm以下，H为5ppm以下，S为100ppm以下。

19.一种QFN封装，其特征在于，具有由铜合金构成的导线架，所述铜合金含有Ni：0.05～2质量％、P：0.001～0.3质量％、Zn：0.005～5质量％，余量为Cu和不可避免的杂质，并且，显微维氏硬度为150以上，均匀延伸率为5％以下，且局部延伸率为10％以下。

20.根据权利要求19所述的QFN封装，其特征在于，所述铜合金还含有Fe：1质量％以下、Sn：1.5质量％以下中的至少一种。

21.根据权利要求19所述的QFN封装，其特征在于，所述铜合金还含有合计为0.2质量％以下的Co、Cr、Mn、Mg、Si。

22.根据权利要求19所述的QFN封装，其特征在于，所述铜合金还含有合计为0.1质量％以下的Al、Zr、In、Ti、B、Ag、Be。