[发明专利]光传感器、平板显示装置以及暗二极管和其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910004147.7 申请日: 2009-02-12
公开(公告)号: CN101510554A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 金度晔;松枝洋二郎;金襟男 申请(专利权)人: 三星移动显示器株式会社
主分类号: H01L27/30 分类号: H01L27/30;H01L27/32;H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 代理人: 康 泉;宋志强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 传感器 平板 显示装置 以及 二极管 制造 方法
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请引用早先于2008年2月13日提交韩国知识产权局并被正式分配序列号No.10-2008-0013032的申请“光传感器及使用该光传感器的平板显示器”,要求该申请的所有权益,并将该申请合并于此。

技术领域

发明涉及光传感器、使用该光传感器的平板显示装置以及制造暗二极管(dark diode)的方法,更具体地涉及仅响应于光而输出信号的光传感器及使用该光传感器的平板显示装置。

背景技术

近来,具有减小的重量和体积的各种平板显示(FPD)装置已经发展起来,而重量和体积在阴极射线管(CRT)中是障碍。作为平板显示装置的有液晶显示装置、场致发射显示装置、等离子体显示面板、有机发光显示装置和其他相关显示装置。

有机发光显示装置使用通过电子和空穴的复合产生光的有机发光二极管(OLED)来显示图像。

有机发光显示装置具有各种优点,如优良的色彩显示、薄的厚度以及其他相关优点,从而使有机发光显示装置被广泛应用在除蜂窝电话之外的各种应用场景中,例如PDA(个人数字助理)、MP3装置以及其他相关电子设备。

在这种平板显示装置上所显示的图像的可视性可能随环境光的亮度而不同。换句话说,即使以相同的亮度显示图像,当环境光的亮度相对较高时,所显示的图像对用户的裸眼来说可能显得较暗,而当环境光的亮度相对较低时,所显示的图像对用户的裸眼来说可能显得较亮。

因此,为了增强所显示的图像对用户裸眼的可视性,对环境光的亮度进行检测,其中当环境光的亮度相对较高时,可以提高所显示图像的亮度,而当环境光的亮度相对较低时,可以降低所显示图像的亮度。而且当根据环境光的亮度控制图像的亮度时,所显示图像的亮度将不会被不必要的提高,从而可以降低显示装置的功率消耗。

基于上述原因,已经设计出通过将用于检测环境光的光传感器附到平板显示装置上来对应于环境光控制所显示图像的亮度的方法。

光传感器包括对温度敏感的光电二极管。因此,当环境温度升至预定的程度时,光电二极管中由温度产生的电流变得明显大于由光产生的电流,从而可能使由光产生的电流被忽略。因此,为了补偿与显示装置的环境光对应的亮度,应当根据温度对从光电二极管产生的电流进行补偿。

发明内容

因此,本发明的目的在于提供一种光传感器、使用该光传感器的平板显示装置以及制造暗二极管的方法,以便解决上述问题。

本发明的另一目的在于提供一种这样的光传感器及使用该光传感器的平板显示装置:能够通过得到由温度改变引起的电流变化并根据温度变化对电流进行补偿,来产生仅对应于环境光的光传感信号。

为了实现上述目的,根据本发明的第一方面,光传感器可以被构造有:光传感单元,产生与环境光对应的第一电流和与环境温度对应的第二电流;包括暗二极管的温度补偿单元,由于阻断光的入射而产生与所述第二电流具有相同大小的第三电流,所述第二电流对应于环境温度;以及缓冲单元,通过从所述光传感单元中产生的第二电流中减去所述温度补偿单元中产生的第三电流,输出与第一电流具有相同大小的电流所对应的光传感信号。

为了实现上述目的,根据本发明的第二方面,平板显示装置可以被构造有:对应于数据信号和扫描信号显示图像的像素单元;通过检测环境光来产生光传感信号的光传感器;对应于所述光传感信号产生所述数据信号的数据驱动器;以及产生所述扫描信号的扫描驱动器;其中所述光传感器包括:光传感单元,产生与环境光对应的第一电流和与环境温度对应的第二电流;包括暗二极管的温度补偿单元,由于阻断光的入射而产生与所述第二电流具有相同大小的第三电流,所述第二电流对应于环境温度;以及缓冲单元,通过从所述光传感单元中产生的第二电流中减去所述温度补偿单元中产生的第三电流,输出与第一电流具有相同大小的电流所对应的光传感信号。

为了实现上述目的,根据本发明的第三方面,暗二极管可以被构造有:透明基板;形成在所述透明基板上的缓冲层;形成在所述缓冲层上的半导体层;形成在所述半导体层上的第一绝缘膜;形成在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜;形成在所述第二绝缘膜上并分别与所述半导体层的两端都接触的第一金属电极和第二金属电极;形成在所述第一金属电极和所述第二金属电极上的第三绝缘膜;形成在所述第三绝缘膜上的平坦化膜;以及形成在所述平坦化膜上并面对所述半导体层的阳极。

附图说明

结合附图并参考以下详细描述,对本发明的更全面的认识以及伴随而来的诸多优点将因其变得更好理解而容易明白。在附图中,相同的附图标记表示相同或相似的组件,其中:

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