[发明专利]应用于驱动电路的缓冲器以及应用于负载装置的驱动方法

权利要求书

1.一种应用于驱动电路的缓冲器，包含：

第一晶体管，用以提供电流至输出端；

第二晶体管，耦接于该第一晶体管，用以从该输出端汲取电流；

转换速率控制电路，耦接于该第一晶体管、该第二晶体管以及输入信 号，用以依据该输入信号来控制多个控制信号中至少一个控制信号的转换 速率，以控制该第一晶体管以及该第二晶体管的导通或截止操作；

调控电路，耦接于该第一晶体管以及该第二晶体管，用以防止该第一 晶体管以及该第二晶体管同时导通；以及

致能电路，用以致能或去能该转换速率控制电路以及该调控电路，

其中该第一晶体管为第一P型金氧半导体场效晶体管，其源极耦接至 预定电位；该第二晶体管为第一N型金氧半导体场效晶体管，其漏极耦接 至该第一P型金氧半导体场效晶体管的漏极，其源极耦接至接地电位，

其中该调控电路包含：

第一反相器，用以将原始信号反相来产生反相原始信号；

第二反相器，用以将该反相原始信号反相来产生该输入信号；

第二P型金氧半导体场效晶体管，其漏极耦接于该第一P型金氧半导 体场效晶体管的栅极，其源极耦接于特定电位，其栅极用以接收该反相原 始信号；以及

第二N型金氧半导体场效晶体管，其漏极耦接于该第一N型金氧半导 体场效晶体管的栅极，其源极耦接于接地电位，其栅极用以接收该反相原 始信号，

其中该致能电路包含：

致能信号产生器，用以产生致能信号；

第三反相器，耦接于该致能信号产生器，用以产生反相致能信号；

至少一个开关装置，耦接于该转换速率控制电路以及该致能信号产生 器，用以根据该致能信号来操作；

或非门，用以接收该反相原始信号以及该反相致能信号，该或非门具 有输出端耦接于该第二P型金氧半导体场效晶体管的栅极；以及

与非门，用以接收该反相原始信号以及该致能信号，该与非门具有输 出端耦接于该第二N型金氧半导体场效晶体管的栅极，

并且其中该转换速率控制电路包含：

第三N型金氧半导体场效晶体管，其漏极耦接于该第一P型金氧半导 体场效晶体管的栅极，其源极耦接于接地电位；以及

第三P型金氧半导体场效晶体管，其漏极耦接于该第一N型金氧半导 体场效晶体管的栅极，其源极耦接于一预定电位。

2.一种应用于负载装置的驱动方法，包含：

(a)提供第一晶体管，用以提供电流至输出端；

(b)提供第二晶体管，用以从该输出端汲取电流；

(c)根据输入信号来控制该第一晶体管以及该第二晶体管中至少其中 之一的转换速率，以产生输出信号输入至该负载装置；以及

(d)防止该第一晶体管以及该第二晶体管同时导通，

其中该第一晶体管为第一P型金氧半导体场效晶体管，其源极耦接至 预定电位；该第二晶体管为第一N型金氧半导体场效晶体管，其漏极耦接 至该第一P型金氧半导体场效晶体管的漏极，其源极耦接至接地电位，

其中步骤(d)使用调控电路，其包含：

第一反相器，用以将原始信号反相来产生反相原始信号；

第二反相器，用以将该反相原始信号反相来产生该输入信号；

第二P型金氧半导体场效晶体管，其漏极耦接于该第一P型金氧半导 体场效晶体管的栅极，其源极耦接于特定电位，其栅极用以接收该反相原 始信号；以及

第二N型金氧半导体场效晶体管，其漏极耦接于该第一N型金氧半导 体场效晶体管的栅极，其源极耦接于接地电位，其栅极用以接收该反相原 始信号，

并且其中步骤(c)使用转换速率控制电路，其包含：

第三N型金氧半导体场效晶体管，其漏极耦接于该第一P型金氧半导 体场效晶体管的栅极，其源极耦接于接地电位；以及

第三P型金氧半导体场效晶体管，其漏极耦接于该第一N型金氧半导 体场效晶体管的栅极，其源极耦接于预定电位。