[发明专利]垂直配向式像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直配向式像素结构，其特征在于：所述像素结构包括

栅极，形成于基板上；

栅极绝缘层，覆盖栅极；

栅极非晶硅区，形成于栅极绝缘层上且对应地位于栅极上方；

源极金属区和漏极金属区，形成于栅极非晶硅区上；

有机物保护层，形成于栅极绝缘层上并覆盖源极金属区和漏极金属区，且该有机物保护层包括介层洞和复数个突起，该介层洞暴露漏极金属区的部分表面；和

导电层，形成于有机物保护层上并覆盖介层洞，以及在所述突起之间形成狭缝。

2.根据权利要求1所述的垂直配向式像素结构，其特征在于：所述源极金属区、漏极金属区与栅极非晶硅区之间进一步包含掺杂栅极非晶硅区。

3.根据权利要求1所述的垂直配向式像素结构，其特征在于：所述栅极非晶硅区的面积大于位于下方的栅极的面积。

4.根据权利要求1所述的垂直配向式像素结构，其特征在于：所述有机物保护层的有机物质为酚醛树脂。

5.根据权利要求1所述的垂直配向式像素结构，其特征在于：所述导电层为氧化铟锡层。

6.一种垂直配向式像素结构的制造方法，其特征在于：所述像素结构的制造方法包括：

形成栅极于基板上；

形成栅极绝缘层以覆盖栅极；

形成栅极非晶硅区于栅极绝缘层上且对应地位于栅极上方；

形成源极金属区、漏极金属区于栅极绝缘层的上方；

形成有机物保护层于栅极绝缘层上并覆盖源极金属区、漏极金属区；

形成介层洞和复数个突起于有机物保护层处，该介层洞暴露漏极金属区的部分表面；和

形成导电层于有机物保护层上并覆盖介层洞，以及在有机保护层的突起之间形成狭缝。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成栅极的步骤包括：

形成第一金属层于基板上；和

图案化第一金属层以形成栅极。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成栅极非晶硅区的步骤包括：

形成非晶硅层于栅极绝缘层上；

形成掺杂非晶硅层于非晶硅层上；及

图案化掺杂非晶硅层和非晶硅层，以形成掺杂非晶硅区和栅极非晶硅区。

9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成源极金属区、漏极金属区的步骤包括：

形成第二金属层于栅极绝缘层的上方；及

图案化第二金属层，以形成源极金属区和漏极金属区；

其中，源极金属区和漏极金属区之间具有通道。

10.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成有机物保护层的步骤包括：

形成有机物保护层于栅极绝缘层上；及

图案化有机物保护层，以形成复数个突起，形成平整的有机物保护层覆盖源极金属区、漏极金属区及源极金属区和漏极金属区之间的通道，形成介层洞以暴露漏极金属区的部分表面；

所述形成导电层的步骤包括：

形成导电层于有机物保护层上并覆盖介层洞；以及

在有机物保护层的突起之间形成狭缝。