[发明专利]接合检测结构和接合结构有效
申请号: | 200910004644.7 | 申请日: | 2009-03-02 |
公开(公告)号: | CN101825650A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 杨省枢;李筱婷;安超群 | 申请(专利权)人: | 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | G01R1/02 | 分类号: | G01R1/02;G01R31/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 检测 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种接合检测结构和接合结构。
背景技术
在芯片玻璃接合(Chip On Glass,COG)工艺中,玻璃与IC之间接合的间隙(Gap)大小往往取决于工艺压力、胶材特性、应力释放等因素。典型判断接合是否良好的方法,是通过各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)的导电颗粒压合的情况来判断。当压合不好时,导电颗粒没有破裂,容易造成电性上的不导通。但是,如果压合力太大而导致颗粒被过度压迫,也会因为压力过大而造成不导通的情况。
目前对应高密度接点需求,在IC凸块设计上,倾向于使用弹性凸块(Compliant bump)以及非导电胶膜(non-conductive film,NCF)的胶材。虽然,没有类似各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)的导电颗粒的破裂情况可以立即观察,但是,弹性凸块在压合后具有类似ACF中导电颗粒中被压扁的特性,因此,通常是利用弹性凸块破裂的程度来判断接合的好坏。然而,弹性凸块破裂的程度必须透过扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)切片分析,因此,并无法立即得知压力是否适当以及导通程度,而必须等到工艺结束后切片以及接软板测试才能获知。
有关于检测接合情况的相关专利如美国专利第5,707,902号以及美国专利第6,972,490号。美国专利第5,707,902号是针对凸块形状大小及位置做改善,并利用压痕来简易判断压合程度。然而,使用该专利所披露的凸块并无法立即且有效检测出接合的间隙高度差,且无法立即有效的判断破坏的情形。美国专利第6,972,490号则是添加阻挡用(Stopper)的弹性凸块。由于其弹性凸块的高度统一且较电极凸块低,因此,并不会有破坏或是龟裂的现象,无法立即以物性来判断的。此外,该专利并没有提及所披露的凸块结构是否可以导通,以作为良率判断的准则。
发明内容
本发明提供一种接合检测结构,设置在基板上,其包括至少一弹性凸块,且选择性地包括至少一导电层。弹性凸块位于基板上。导电层至少覆盖弹性凸块的顶部。弹性凸块或导电层至少具有一开口,且弹性凸块或导电层的顶部的观察面积大于开口的面积。
本发明提出一种接合结构,其包括第一基板、第二基板、接合检测结构与接合材料。接合检测结构,位于第一基板与第二基板之间,其包括至少一弹性凸块,且选择性包括至少一导电层。弹性凸块与上述导电层中具有至少一开口,且弹性凸块或导电层的顶部的观察面积大于开口的面积。接合材料,位于接合检测结构周围且封合上述第一基板与上述第二基板。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合附图,作详细说明如下。
附图说明
图1A是依据本发明实施例所绘示的一种顶部周缘具有缺口的接合检测结构的立体示意图。
图1B是依据本发明实施例所绘示的一种顶部周缘的缺口延伸至中间部的接合检测结构的立体示意图。
图1C是依据本发明实施例所绘示的一种顶部周缘的缺口延伸至底部的接合检测结构的立体示意图。
图1D是依据本发明实施例所绘示的一种顶部呈水平平面的锥状接合检测结构的剖面示意图。
图1E是依据本发明实施例所绘示的一种顶部呈水平平面的柱状接合检测结构的剖面示意图。
图1F是依据本发明实施例所绘示的一种顶部呈倾斜平面的柱状接合检测结构的剖面示意图。
图1G是依据本发明实施例所绘示的一种顶面为具有尖端点的凹凸面的接合检测结构的剖面示意图。
图1H是依据本发明实施例所绘示的另一种顶面为具有尖端点的凹凸面的锥状接合检测结构的剖面示意图。
图2A依照本发明另一种实施例所绘示的具有贯孔洞的接合检测结构的示意图。
图2B是依照本发明另一种实施例所绘示的具有盲孔的接合检测结构的示意图。
图2C依照本发明另一种实施例所绘示的同时具有缺口与贯孔的接合检测结构的示意图。
图2D是依照本发明另一种实施例所绘示的同时具有缺口与盲孔的接合检测结构的示意图。
图3是依照本发明实施例所绘示的一种接合检测结构的形成位置示意图。
图4A是依据本发明实施例所绘示的一种顶面覆盖周缘具有缺口的导电层的接合检测结构的立体示意图。
图4B是依据本发明实施例所绘示的另一种顶面覆盖着周缘具有缺口的导电层的接合检测结构的立体示意图。
图4C是依据本发明实施例所绘示的又一种顶面覆盖着周缘具有缺口的导电层的接合检测结构的俯视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院,未经台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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