[发明专利]用于提供硬偏压封盖层的方法和系统

权利要求书

1.一种用于提供至少一个磁阻器件的方法，所述磁阻器件由多个 磁阻元件层形成，所述方法包括：

提供掩膜，所述掩膜覆盖至少一个器件区域中的所述多个磁阻元 件层的第一部分；

利用所述掩膜限定来自所述多个磁阻元件层的至少一个磁阻元 件；

淀积至少一个硬偏压层；

在所述至少一个硬偏压层上提供硬偏压封盖结构，所述硬偏压封 盖结构包括第一保护层、第二保护层和平坦化停止层，所述第一保护 层位于所述平坦化停止层与所述至少一个硬偏压层之间，所述平坦化 停止层处于所述第一保护层与所述第二保护层之间；和

执行平坦化，所述平坦化停止层被配置用于所述平坦化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一保护层包括Ru、Ta、 Cr和NiCr中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一保护层具有至少20 埃且不超过105埃的厚度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述厚度为至少40埃且不超 过80埃。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述平坦化停止层进一步包 括Ru和Rh中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述平坦化停止层具有至少 10埃且不超过120埃的厚度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述厚度为至少30埃且不超 过70埃。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二保护层进一步包括 Ta、Ru、Cr和NiCr中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二保护层具有至少40 埃且不超过105埃的厚度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述厚度为至少50埃且不 超过85埃。

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在提供了所述硬偏压封盖结构后执行所述掩膜的剥离。

12.根据权利要求11所述的方法，其中执行所述剥离的步骤进一 步包括：

去除所述至少一个硬偏压层的一部分以在所述至少一个硬偏压层 中打开一开孔，所述硬偏压封盖结构的至少一部分在去除所述至少一 个硬偏压层的所述部分的步骤中暴露。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个磁阻元件具有 不超过90纳米的磁迹宽度。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩膜包括基本无底切部 的至少一侧。

15.一种用于提供至少一个磁阻器件的方法，所述磁阻器件由多个 磁阻元件层形成，所述方法包括：

提供光刻掩膜，所述光刻掩膜覆盖至少一个器件区域中的所述多 个磁阻元件层的第一部分；

利用所述光刻掩膜限定来自所述多个磁阻元件层的至少一个磁阻 元件；

淀积至少一个硬偏压层；

提供硬偏压封盖结构，其包括第一保护层、平坦化停止层和第二 保护层，所述平坦化停止层处于所述第一保护层与所述第二保护层之 间，所述第一保护层处于所述平坦化停止层与所述至少一个硬偏压层 之间，所述第一保护层包括Ta、Ru、Cr和NiCr中的至少一种，所述 平坦化停止层包括Ru和Rh中的至少一种，所述第二保护层包括Ru、 Ta、Cr和NiCr中的至少一种；

去除所述至少一个硬偏压层的一部分以在所述至少一个硬偏压层 中打开一开孔，所述硬偏压封盖结构的至少一部分在去除所述至少一 个硬偏压层的所述部分的步骤中暴露；

剥离所述光刻掩膜；以及

执行平坦化，所述平坦化停止层被配置用于所述平坦化。