[发明专利]功率放大器无效
申请号: | 200910004744.X | 申请日: | 2009-02-20 |
公开(公告)号: | CN101515786A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 石丸昌晃 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H03F3/19 | 分类号: | H03F3/19;H03F1/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张 鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率放大器 | ||
1.一种功率放大器,其特征在于,包括:
放大部,该放大部具有用于进行功率放大的第一晶体管;
偏压电源部,该偏压电源部具有用于向所述第一晶体管提供偏压的第 二晶体管;以及
加速电路,该加速电路在开始进行所述功率放大时使由所述偏压电源 部向所述第一晶体管提供的偏压暂时增加。
2.如权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,
所述第二晶体管的发射极通过电阻元件与所述第一晶体管的基极连 接,
所述偏压电源部包括:
第三晶体管,该第三晶体管的集电极与所述第二晶体管的基极连接, 并且其发射极接地;
第四晶体管,该第四晶体管的基极与所述第三晶体管的集电极连接, 并且其发射极与所述第三晶体管的基极连接;以及
连接在所述第四晶体管的发射极与地线之间的电阻元件,
所述第二、第三、第四晶体管的集电极与用于控制所述功率放大的接 通切断的控制电压源连接,
另外,所述加速电路连接在所述第三晶体管的基极和所述第四晶体管 的发射极的连接点与所述控制电压源之间,并且在所述控制电压源的控制 电压增加时使所述第三晶体管的基极电压暂时下降,使流向所述第二晶体 管的基极的电流增加,藉此使流向所述第一晶体管的基极的电流增加,提 高所述第一晶体管的功率放大率。
3.如权利要求2所述的功率放大器,其特征在于,所述加速电路具有
第五晶体管,该第五晶体管的集电极与所述第四晶体管的发射极连接, 并且其发射极通过电阻元件接地;
第六晶体管,该第六晶体管的发射极与所述第五晶体管的基极连接, 并且其集电极与所述控制电压源连接;
连接在所述第六晶体管的基极与所述控制电压源之间的电容元件;以 及
连接在所述第六晶体管的基极与所述控制电压源之间的二极管。
4.如权利要求3所述的功率放大器,其特征在于,所述加速电路所具 有的所述电容元件的电容值被调整为可抵消因开始进行所述功率放大时的 温度变化而导致的增益的暂时变化。
5.如权利要求3所述的功率放大器,其特征在于,所述加速电路所具 有的所述电容元件的电容值是可变的。
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