[发明专利]异质材料键合方法无效
申请号: | 200910005203.9 | 申请日: | 2009-01-16 |
公开(公告)号: | CN101783301A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 陈建州 | 申请(专利权)人: | 林淑清 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/373 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 材料 方法 | ||
1.一种异质材料键合方法,其特征在于其包含以下步骤:
提供一基材;
使用一第一金属导线与一第二金属导线分别电性连接一电源,以提供不同电性至该第一金属导线与该第二金属导线,且该第一金属导线与该第二金属导线是以不同该基材的金属材料所制成;
依据该第一金属导线及该第二金属导线的不同电性产生电弧;
使用该电弧加热该第一金属导线与该第二金属导线,以熔融该第一金属导线及该第二金属导线成为一熔融材;
使用压缩空气喷射该熔融材而吹散为多个粒子,以吹送该多个粒子至该基材上;以及
形成一喷涂层于该基材上。
2.根据权利要求1所述的异质材料键合方法,其特征在于其中所述的第一金属导线及该第二金属导线为铜导线。
3.根据权利要求1所述的异质材料键合方法,其特征在于其中所述的电弧产生一高周波,该高周波是振动加热该第一金属导线及该第二金属导线。
4.根据权利要求2所述的异质材料键合方法,其特征在于其中所述的多个粒子为铜离子。
5.根据权利要求4所述的异质材料键合方法,其特征在于其中该铜离子与该基材相互键结上以形成一共晶结构。
6.根据权利要求1所述的异质材料键合方法,其特征在于其中所述的压缩空气是降低该多个粒子的温度。
7.根据权利要求1所述的异质材料键合方法,其特征在于其中所述的压缩空气是形成一气旋结构。
8.根据权利要求7所述的异质材料键合方法,其特征在于其中所述的气旋结构是辅助该多个粒子降温。
9.根据权利要求1所述的异质材料键合方法,其特征在于其中当形成该喷涂层于该基材后,更包含抛光加工该喷涂层的步骤。
10.根据权利要求1所述的异质材料键合方法,其特征在于其中所述的第一金属导线与该第二金属导线是依据该电源的电流强度产生不同加热温度的电弧。
11.根据权利要求1所述的异质材料键合方法,其特征在于其中所述的多个粒子的接合强度为99.8公斤每平方厘米。
12.根据权利要求1所述的异质材料键合方法,其特征在于其中所述的喷涂层的孔隙率为百分之一至百分之五。
13.根据权利要求1所述的异质材料键合方法,其特征在于其中所述的基材是进行一喷砂加工处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于林淑清,未经林淑清许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910005203.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半静态干扰协调方法
- 下一篇:一种降低数字合成正弦波谐波噪声的系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造