[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，包括：

清洁工序(a)，向处理容器内供给清洁气体，利用使该清洁气体 等离子体化得到的等离子体除去附着在所述处理容器内的附着物；

成膜工序(b)，接着向所述处理容器内供给含有碳和氟的成膜气 体，利用使该成膜气体等离子体化得到的等离子体，在所述处理容器 内形成含有碳和氟的膜；

蚀刻工序(c)，接着将基板载置在所述处理容器内的载置台上， 向该处理容器内供给蚀刻气体，利用使该蚀刻气体等离子体化得到的 等离子体对所述基板进行蚀刻；和

在该蚀刻工序(c)之后将基板从所述处理容器搬出的工序(d)，

在所述搬出基板的工序(d)结束之后，进行所述工序(a)～(d)。

2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述成膜工序(b)通过将样品基板载置于所述载置台上而进行。

3.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

在对一个基板进行完所述蚀刻工序(c)之后，进行所述清洁工序 (a)。

4.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述清洁气体为氧气、或者氧气与SF₆气体的混合气体、或者氧气 与NF₃气体的混合气体。

5.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述成膜气体为CxFyHz气体，其中，x、y为1以上的整数，z 为0或者1以上的整数。

6.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述附着物包括在处理容器内形成的含有碳和氟的膜。

7.一种等离子体蚀刻装置，其特征在于，包括：

在处理容器内使气体等离子体化的等离子体产生单元；

向所述处理容器内供给用于除去附着在该处理容器内的附着物的 清洁气体的单元；

为了在所述处理容器内形成含有碳和氟的膜而向该处理容器内导 入含有碳和氟的成膜气体的单元；

向所述处理容器内供给用于对载置于该处理容器内的载置台上的 基板进行蚀刻的蚀刻气体的单元；和

进行控制的单元，以对所述各单元进行控制，使得进行下述各步 骤：在处理容器内使所述清洁气体等离子体化，除去所述附着物的步 骤；接着在所述处理容器内使所述成膜气体等离子体化，在所述处理 容器内形成含有碳和氟的膜的步骤；接着在处理容器内使所述蚀刻气 体等离子体化对载置于所述载置台上的基板进行蚀刻的步骤；和接着 进行从所述处理容器搬出基板的步骤，在搬出所述基板后，进行所述 一系列的步骤。

8.如权利要求7所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于：

所述处理容器的内壁面以及载置台的侧面由氧化钇涂敷。

9.如权利要求7所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于：

所述清洁气体为氧气、或者氧气与SF₆气体的混合气体、或者氧气 与NF₃气体的混合气体。

10.如权利要求7所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于：

所述成膜气体为CxFyHz气体，其中，x、y为1以上的整数，z 为0或者1以上的整数。