[发明专利]半导体集成电路

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路，涉及将半导体芯片单独收容在封装内，或者 将半导体芯片与在周围连接的电子部件一同安装在基板上，并使用绝缘材料进 行注模的半导体集成电路。

背景技术

近年来，作为二次电池将锂离子电池安装在数字照相机等便携设备中。因 为锂离子电池不耐过充电以及过放电，所以以具备过充电以及过放电的保护电 路的电池组的方式来使用。

图4表示了使用现有的保护电路的电池组的一例的电路结构图。在该图 中，锂离子电池10的正极、负极分别与电池组的外部端子B+、B-连接。在 端子B+、B-之间连接有电阻R1和电容器C1的串联电路。端子B+与电池组 的外部端子P+连接，端子B-经由用于切断电流的n沟道MOS(金属氧化膜 半导体)FET(电场效应晶体管)FET晶体管M1、M2与电池组的外部端子P -连接。

此外，端子P+、P-之间连接有电容器C2，在端子B-、P-之间连接有 电容器C3。在端子P+、P-之间连接负载或充电器。

将晶体管M1、M2的漏极连接在一起，晶体管M1的源极经由端子B-与 锂离子电池10的负极连接，晶体管M2的源极与端子P-连接。晶体管M1、 M2各自的栅极与保护电路11的端子11d、11e连接。

保护电路11是单独收容在封装中的半导体集成电路，内置有过充电检测 电路、过放电检测电路、过电流检测电路。此外，保护电路11由锂离子电池 10的正极经由电阻R1向端子11a提供电源VDD，并且从锂离子电池10的负 极向端子11b提供电源VSS来进行工作，过电流检测用端子11c经由电阻R2 与端子P-连接。

此外，为了限制在端子P+、P-之间，将极性弄反地错误连接了充电器时， 或者在连接了电压超过保护电路11的额定电压的充电器时的电流，设置了电 阻R2。

保护电路11在通常的充电时或放电时使端子11d、11e同为高电平来使晶 体管M1、M2导通。此外，在由过放电检测电路或过电流检测电路检测到过 放电或过电流时，使端子11d的输出为低电平来切断晶体管M1，在由过充电 检测电路检测到过充电时使11e的输出为低电平来切断晶体管M2。

此外，在专利文献1中，记载了一种具有与切断充放电时的电流路径的开 关元件热耦合的PTC热敏电阻的电池组。

【专利文献1】特开2006-32015号公报

发明内容

如此，现有的保护电路11因为在外面附加了电阻R2，所以存在电子部件 数量增多，整个装置的制造成本升高，此外，安装面积增大的问题。

本发明是鉴于以上的问题而提出的，其目的在于提供一种可以减少电子部 件的数量，并且可以降低整个装置的制造成本以及安装面积的半导体集成电 路。

在本发明的一实施方式中，在将半导体芯片单独收容在封装内，或者将半 导体芯片与在周围连接的电子部件一同安装在基板上，并使用绝缘材料进行注 模的半导体集成电路中，具有：将一端与所述半导体芯片的外部端子连接，在 另一端上连接静电保护用二极管(D1)，并且被设置在所述半导体芯片内的电 流限制用电阻(R10)；以及在所述电流限制用电阻(R10)的两端之间并联连 接、设置在所述半导体芯片内的熔丝(FS)。

理想的是，在将所述半导体芯片单独地收容在封装中的情况下，不切断所 述熔丝(FS)，在所述外部端子上连接电流限制用外加电阻(R2)。

理想的是，在将半导体芯片与在周围连接的电子部件一同安装在基板上， 并使用绝缘材料进行注模的情况下，切断所述熔丝(FS)，在所述外部端子上 不连接电流限制用外加电阻。

此外，上述括号内的参照符号是为了易于理解而添加的，仅是一个例子并 不限于图示的方式。

根据本发明，可以减少电子部件的数量，可以降低整个装置的制造成本以 及安装面积。

附图说明

图1是使用本发明的半导体集成电路的电池组的第一实施方式的电路结 构图。

图2是使用本发明的半导体集成电路的电池组的第一实施方式的变形例 的电路结构图。

图3是使用本发明的半导体集成电路的充电保护电路的一实施方式的电 路结构图。

图4是使用现有的保护电路的电池组的一例的电路结构图。

符号说明