[发明专利]图案化方法

权利要求书

1.一种图案化方法，包括：

于一基底上形成一光致抗蚀剂图案，该光致抗蚀剂图案包括至少一预期开口与至少一留白开口于其中；

于该光致抗蚀剂图案与该基底上形成一图案化感光材料层，其中该图案化感光材料层覆盖该光致抗蚀剂图案的该留白开口；

对该光致抗蚀剂图案的该预期开口进行一化学微缩辅助光刻解析度强化工艺；以及

通过该预期开口蚀刻该基底，其中在蚀刻该基底期间，该图案化感光材料层覆盖该光致抗蚀剂图案的该留白开口。

2.如权利要求1所述的图案化方法，其中该图案化感光材料层的形成是在该化学微缩辅助光刻解析度强化工艺之后进行。

3.如权利要求1所述的图案化方法，其中该图案化感光材料层包括一化学微缩辅助光刻解析度强化材料及一光酸产生剂。

4如权利要求3所述的图案化方法，其中该化学微缩辅助光刻解析度强化工艺的进行包括一交联反应，以于一升高温度下在该感光材料层与该光致抗蚀剂图案之间形成一界面层。

5.如权利要求1所述的图案化方法，其中该化学微缩辅助光刻解析度强化工艺的进行包括对该感光材料层与该光致抗蚀剂图案进行一高温烘烤。

6.如权利要求5所述的图案化方法，其中该高温烘烤包括一烘烤温度，介于约100℃至约200℃之间。

7.一种图案化方法，包括：

于一基底上形成一第一光致抗蚀剂图案，该第一光致抗蚀剂图案包括至少一预期开口与至少一留白开口于其中；

于该基底与该第一光致抗蚀剂图案上涂布一化学微缩辅助光刻解析度强化材料层；

进行一化学微缩辅助光刻解析度强化工艺以使该第一光致抗蚀剂图案的该预期开口收缩；

于该化学微缩辅助光刻解析度强化材料层上形成一第二光致抗蚀剂图案，覆盖该第一光致抗蚀剂图案的该留白开口并露出该第一光致抗蚀剂图案的该预期开口；以及

通过露出的该第一光致抗蚀剂图案的该预期开口蚀刻该基底，其中在蚀刻该基底期间，该第二光致抗蚀剂图案覆盖该第一光致抗蚀剂图案的该留白开口。

8.如权利要求7所述的图案化方法，其中该第二光致抗蚀剂图案的形成包括部分地于该第一光致抗蚀剂图案上形成该第二光致抗蚀剂图案。

9.如权利要求7所述的图案化方法，其中该化学微缩辅助光刻解析度强化工艺的进行包括：

于一升高温度烘烤该第一光致抗蚀剂图案与该化学微缩辅助光刻解析度强化材料层以于邻近于该预期开口的侧壁处形成一界面层。

10.如权利要求9所述的图案化方法，还包括于形成该第二光致抗蚀剂图案前清洗该化学微缩辅助光刻解析度强化材料层。

11.如权利要求7所述的图案化方法，其中该化学微缩辅助光刻解析度强化工艺的进行包括涂布一化学微缩辅助光刻解析度强化材料层，该化学微缩辅助光刻解析度强化材料层具有可交联高分子及交联剂。

12.一种图案化方法，包括：

于一基底上形成一光致抗蚀剂图案，该光致抗蚀剂图案包括至少一预期开口与至少一留白开口于其中；

于该基底与该光致抗蚀剂图案上形成一感光收缩材料层；

烘烤该感光收缩材料层与该光致抗蚀剂图案以于该感光收缩材料层与该光致抗蚀剂图案之间形成一界面层；

将该感光收缩材料层图案化以覆盖该光致抗蚀剂图案的该留白开口中的该基底，并露出该光致抗蚀剂图案的该预期开口中的该基底；以及

通过露出的该光致抗蚀剂图案的该预期开口蚀刻该基底，其中在蚀刻该基底期间，该感光收缩材料层覆盖该光致抗蚀剂图案的该留白开口。

13.如权利要求12所述的图案化方法，其中该感光收缩材料层包括：

光酸产生剂；

可交联高分子；以及

交联剂。

14.如权利要求13所述的图案化方法，其中该可交联高分子包括一具有OH基的高分子、一具有COOH基的高分子、环氧树脂、或前述的组合。