[发明专利]氮化物半导体单晶基材及其合成方法有效
| 申请号： | 200910005871.1 | 申请日： | 2005-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101503824A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 藤原伸介;中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/40;C30B25/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈 平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 基材 及其 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化物半导体单晶基材，它具有通式GaN表示的组成， 其特征在于断裂韧度为1.2MPa·m1/2或更大以及表面积为20cm2或更 大，总杂质密度为1×1017cm-3或更低并且氧密度为5×1016cm-3或更低。
2.合成如权利要求1所述的氮化物半导体单晶基材的方法，所 述氮化物半导体单晶基材合成方法的特征在于所述基材由HVPE合 成，并且在用于所述HVPE的晶体生长炉中，在达到800℃或更高 温度的区域内安置pBN衬里，在衬里内，将GaN的种子晶基材放置 在pBN台的上面，III族前体气体经由第一气体导入管导入到衬里中， 而NH3气体经由第二导入管导入，其中所述衬里由pBN形成；由氮 化物、碳化物或氧化物中的任何一种的烧结材料形成，或由表面地涂 敷有pBN、氮化物、碳化物或氧化物中的任何一种的组分形成。
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