[发明专利]超导磁铁装置及磁共振成像装置有效
申请号: | 200910005966.3 | 申请日: | 2009-01-22 |
公开(公告)号: | CN101493505A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 千叶知雄;渡边洋之;竹岛弘隆;唐司茂树;阿部充志;竹内博幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所;株式会社日立医药 |
主分类号: | G01R33/387 | 分类号: | G01R33/387;G01R33/3815;A61B5/055 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 熊志诚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超导 磁铁 装置 磁共振 成像 | ||
技术领域
本发明涉及超导磁铁装置及使用该装置的磁共振成像(以下称之为 “MRI”)装置,尤其涉及不会对被检测体造成堵塞感的开放型的适于MRI分 析的超导磁铁装置及使用它的MRI装置。
背景技术
MRI装置利用核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance,以下称之为“NMR”) 现象测量氢原子核自旋放出的电磁波,将该电磁波作为信号进行运算处理,从 而通过氢原子核密度对被检测体进行断层成像。
由氢原子核自旋放出的电磁波得到的电磁场的强度与测量区域的静磁场 的强度成比例,所以为了提高断层像的分辨率有必要提高静磁场的强度。于是, 为了产生高强度的静磁场而使用超导磁铁装置。另外,为了消除畸变而使断层 像具有高的图像质量、高析像度,还有必要提高测量区域的磁场均匀度。为此, 在超导磁铁装置内设有磁性材料。这样,在测量区域中生成具有高强度、高静 磁场均匀度的均匀磁场区域。
磁性材料一般配置在常温的大气中,但也提出了设置在充满冷却超导线圈 的极低温度的液体氦的线圈容器内的MRI装置的方案(例如,参照专利文献 1-日本特开2001-224571号公报、专利文献2-日本特开平10-97917号公 报)。另外,还提出了将磁性材料设置在屏蔽来自覆盖极低温度的线圈容器的 真空容器的辐射热的中低温的热屏蔽部件中的MRI装置的方案(例如,参照 专利文献3-日本特开2005-144132号公报)。
在常温的大气中配置磁性材料的场合,可以认为磁性材料的温度随着室温 的变化而变化,磁性材料的尺寸移位,磁场均匀度产生变化。并且,在线圈容 器内配置磁性材料的场合,可以认为,虽然磁性材料的温度不随室温的变化而 变化,但由于磁性材料配置在线圈容器内,因而磁性材料必然远离均匀磁场区 域,磁性材料对均匀磁场区域的影响灵敏度降低,有必要增加磁性材料的体积。 另外,在热屏蔽板上配置磁性材料的场合,可以认为,由于实质上热屏蔽材料 的热容量增加,所以冷却时花费时间。
于是,可以考虑将磁性材料配置在常温的真空容器内。由此,由于磁性材 料放置在真空中,所以能够抑制磁性材料的温度随着室温的变化而变化。另外, 在均匀磁场区域形成于真空容器的表侧时,由于能将磁性材料配置在该真空容 器的正里侧,所以能够提高磁性材料对均匀磁场区域的影响灵敏度。并且,通 过将磁性材料绝热地支撑在线圈容器上,因而能够避免向热屏蔽板配置磁性材 料。
但是,在将磁性材料配置在常温的真空容器内的场合,可以认为产生以下 两个问题。
(1)由于磁性材料位于真空中,所以磁性材料的温度短时间内不会变化, 但受到季节变动这样的经长时间的室温变化而平稳地变化。由于该变化,磁性 材料的尺寸移位,磁场均匀度产生变化。
(2)由于磁性材料的温度只平稳地变化,所以若要搬运超导磁铁装置并 重装在其它地方时,则存在磁性材料的温度因搬运中的外部气温而上升的情 况。这样,当磁性材料的温度因任何原因而变动时,则其后磁性材料的温度变 得非常不稳定,直到磁场均匀度达到恒定要花费较长的时间,在短时间内无法 返回到磁性材料的温度。
发明内容
本发明就是要解决上述问题,其目的在于提供一种即使对于经长时间的室 温变化也能将磁性材料的温度变化抑制得较小且减少磁场均匀度的变化,另一 方面还能在短时间内改变磁性材料的温度的超导磁铁装置及MRI装置。
为了达到上述目的,本发明的超导磁铁装置及MRI装置的特点是具有设 置在上述真空容器的外侧并与上述真空容器热连接且供给或者吸收热的第一 热供给吸收部,以及设置在上述真空容器的内侧并热连接上述真空容器和上述 磁性材料的第一导热材料。
本发明具有如下效果。
根据这种超导磁铁装置及MRI装置,能够提供即使对于经长时间的室温 变化也能将磁性材料的温度变化抑制得较小且减少磁场均匀度的变化,另一方 面还能在短时间内改变磁性材料的温度的超导磁铁装置及MRI装置。
附图说明
图1是实施方式的磁共振成像装置的立体图。
图2是从实施方式的超导磁铁装置的上方看到的透视图。
图3是图2的A-A方向的剖视图。
图4是图2的B-B方向的剖视图的上半部分。
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