[发明专利]非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法有效
| 申请号： | 200910005973.3 | 申请日： | 2009-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101789267A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张肇桦;吴健民 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C16/34;G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 固有 阈值 电压 测定 方法 | ||
1.一种非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法，其特征在于，所述 的非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法包括：
提供一存储单元，所述存储单元包括一控制栅极、一电荷储存层、一源 极区与一漏极区；
利用F-N穿隧效应对所述存储单元进行一程序化操作，以取得时间对阈 值电压的一程序化曲线，在所述程序化操作中，于所述控制栅极施加一第一 电压；
利用F-N穿隧效应对所述存储单元进行一擦洗操作，以取得时间对阈值 电压的一擦洗曲线，在所述擦洗操作中，于所述控制栅极施加一第二电压， 其中所述第二电压与所述第一电压的绝对值相同，但是极性相反；以及
从所述程序化曲线与所述擦洗曲线的交叉点求出所述存储单元的固有阈 值电压，所述交叉点对应的阈值电压即为所述存储单元的固有阈值电压。
2.如权利要求1所述的非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法，其特 征在于，所述第一电压为8伏特～20伏特之间。
3.如权利要求1所述的非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法，其特 征在于，所述第二电压为8伏特～20伏特之间。
4.如权利要求1所述的非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法，其特 征在于，在所述程序化操作中，使所述源极区与所述漏极区接地或接0伏特 电压。
5.如权利要求1所述的非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法，其特 征在于，在所述擦洗操作中，使所述源极区与所述漏极区接地或接0伏特电 压。
6.如权利要求1所述的非易失性存储器的固有阈值电压的测定方法，其特 征在于，所述存储单元为一快闪存储单元。
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