[发明专利]利用自组装分子制造光掩模的方法

权利要求书

1.一种制造光掩模的方法，所述方法包括：

在透明衬底上形成光阻挡层；

在所述光阻挡层上形成硬掩模图案，所述硬掩模图案暴露出所述光阻挡层的一部分；

在所述硬掩模图案上沉积自组装分子(SAM)层，所述自组装分子与所述硬掩模图案之间发生自发反应，所述SAM层覆盖所述硬掩模图案和所述暴露的光阻挡层的一部分；

在没有被所述沉积的SAM层覆盖的所述光阻挡层的暴露部分上形成抗蚀剂层图案；

移除所述SAM层以暴露出所述硬掩模图案和所述光阻挡层；

采用所述硬掩模图案和所述抗蚀剂层图案蚀刻所述光阻挡层以形成所述光掩模；和，

移除所述硬掩模图案和所述抗蚀剂层图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模图案包含金(Au)材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模图案的形成包括：

在所述硬掩模层上形成抗蚀剂层；

曝光所述抗蚀剂层以及显影所述曝光的抗蚀剂层以形成抗蚀剂层图案，所述抗蚀剂层图案具有暴露出所述硬掩模层的一部分的开口；

利用所述抗蚀剂层图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述硬掩模层的暴露部分以形成所述硬掩模图案，所述硬掩模图案具有暴露出所述光阻挡层的一部分的开口；和

移除所述抗蚀剂层图案。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模图案开口的宽度为所述硬掩模图案的宽度的三倍。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述SAM层的沉积包括在SAM溶液中浸渍所述衬底。

6.根据权利要求5所述的方法，其中每个自组装分子的末端被硫(S)原子取代，所述硫(S)原子通过烷基连接至所述自组装分子。

7.根据权利要求6所述的方法，其中没有被所述SAM层覆盖的所述光阻挡层的暴露部分具有通过控制所述烷基的长度而可控制的宽度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述抗蚀剂层是负性抗蚀剂层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述SAM层的移除包括实施氨处理方法。

10.一种制造相转移掩模的方法，所述方法包括：

在透明衬底上形成相转移层和光阻挡层；

在所述光阻挡层上形成硬掩模图案，所述硬掩模图案暴露出所述光阻挡层的一部分；

在所述硬掩模图案上沉积自组装分子(SAM)层，所述自组装分子与所述硬掩模图案之间发生自发反应，所述SAM层覆盖所述硬掩模图案和所述暴露的光阻挡层的一部分；

在没有被所述沉积的SAM层覆盖的所述光阻挡层的暴露部分上形成抗蚀剂层图案；

移除所述SAM层以暴露出所述硬掩模图案和所述光阻挡层；

利用所述硬掩模图案和所述抗蚀剂层图案蚀刻所述光阻挡层以形成所述光掩模；

移除通过所述光掩模、所述硬掩模层图案和所述抗蚀剂层图案暴露出的所述相转移层以形成所述相转移掩模；和，

移除所述硬掩模图案、所述光掩模和所述抗蚀剂层图案。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述硬掩模图案包含金(Au)材料。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述硬掩模图案的形成包括：

在所述硬掩模层上形成抗蚀剂层；

曝光所述抗蚀剂层以及显影所述曝光的抗蚀剂层以形成抗蚀剂层图案，所述抗蚀剂层图案具有暴露出所述硬掩模层的一部分的开口；

利用所述抗蚀剂层图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述硬掩模层的暴露部分以形成所述硬掩模图案，所述硬掩模图案具有暴露出所述光阻挡层的一部分的开口；和

移除所述抗蚀剂层图案。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述硬掩模图案的开口的宽度为所述硬掩模图案的宽度的三倍。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述SAM层的沉积包括在SAM溶液中浸渍所述衬底。

15.根据权利要求14所述的方法，其中每个自组装分子的末端被硫(S)原子取代，所述硫(S)原子通过烷基连接至所述自组装分子。

16.根据权利要求15所述的方法，其中没有被所述SAM层覆盖的所述光阻挡层的暴露部分具有通过控制所述烷基长度而可控制的宽度。