[发明专利]电子装置及其制造方法有效
申请号: | 200910006108.0 | 申请日: | 2009-01-23 |
公开(公告)号: | CN101552216A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | I·尼基廷;M·门格尔;G·比尔;H·尤厄 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485;H01L25/07 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 范晓斌 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造电子装置的方法,其包括:
将第一芯片布置在载体上;
在第一芯片和载体上敷绝缘层;
向绝缘层敷金属离子溶液以制作具有第一厚度的第一金属层;和
在绝缘层上制作具有第二厚度的第二金属层,其中第一金属层和 第二金属层中的至少一个的至少一部分与对应的第一金属层和第二 金属层中的另一个横向间隔开。
2.如权利要求1所述的制造电子装置的方法,其中,第二金属层 是通过向绝缘层敷金属离子溶液来制作的。
3.如权利要求1所述的制造电子装置的方法,其中,第二金属层 是在制作第一金属层之后制作的。
4.如权利要求1所述的制造电子装置的方法,进一步包括在绝缘 层上制作用于制作第一金属层的第一结构。
5.如权利要求4所述的制造电子装置的方法,进一步包括在绝缘 层上制作用于制作第二金属层的第二结构。
6.如权利要求5所述的制造电子装置的方法,其中,第二结构是 在制作第一金属层之后制作的。
7.如权利要求5所述的制造电子装置的方法,其中:利用喷墨、 塞印刷、漏板印刷、网印、针滴涂和选择性喷涂,通过用激光照射绝 缘层、选择性地敷导电液和选择性地除去敷在绝缘层上的导电层的区 域的方式中的至少一种制作第二结构。
8.如权利要求4所述的制造电子装置的方法,其中,第二金属层 是通过对第一结构的选择性区域敷金属离子溶液制作的。
9.如权利要求4所述的制造电子装置的方法,其中:利用喷墨、 塞印刷、漏板印刷、网印、针滴涂和选择性喷涂,通过用激光照射绝 缘层、选择性地敷导电液和选择性地除去敷在绝缘层上的导电层的区 域的方式中的至少一种制作第一结构。
10.如权利要求4所述的制造电子装置的方法,其中,在敷金属 离子溶液的同时在该金属离子溶液和第一结构之间施加电压。
11.如权利要求1所述的制造电子装置的方法,进一步包括将至 少一个第二芯片布置在载体上。
12.如权利要求1所述的制造电子装置的方法,其中:利用液相 淀积、化学气相淀积、物理气相淀积、等离子气相淀积、喷涂、针滴 涂、旋镀和浸镀方式中的至少一种敷绝缘层。
13.如权利要求1所述的制造电子装置的方法,进一步包括制作 穿过绝缘层的通孔。
14.如权利要求1所述的制造电子装置的方法,进一步包括将第 一芯片焊到载体上。
15.如权利要求1所述的制造电子装置的方法,进一步包括用模 塑化合物覆盖第一芯片。
16.如权利要求1所述的制造电子装置的方法,其包括:
用激光照射绝缘层以制作第一结构;
向第一结构敷金属离子溶液以制作第一金属层;
在制作第一金属层之后,用激光照射绝缘层以制作第二结构;以 及
向第二结构敷金属离子溶液以制作第二金属层。
17.如权利要求1所述的制造电子装置的方法,其包括:
向绝缘层选择性地敷导电液以制作第一结构;
向第一结构敷金属离子溶液以制作第一金属层;以及
在制作第一金属层之后,向绝缘层选择性地敷导电液以制作第二 金属层,该第二金属层的至少一部分与第一金属层横向间隔开。
18.如权利要求1所述的制造电子装置的方法,其包括:
在绝缘层上制作第一结构;
向第一结构敷金属离子溶液以制作第一金属层;
掩膜第一结构;以及
向掩模后的第一结构敷金属离子溶液以制作第二金属层,该第二 金属层的至少一部分与第一金属层横向间隔开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造