[发明专利]半导体器件、液晶显示板、电子设备及制造器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括在操作过程中阈值电压变化的多个薄膜晶体管，所述半导体器件包括：

第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的阈值电压的变化方向是所述阈值电压的绝对值减小的方向；以及

第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的阈值电压的变化方向是所述阈值电压的绝对值增大的方向；

其中，预先设置所述第一薄膜晶体管的初始阈值电压Vth1和所述第二薄膜晶体管的初始阈值电压Vth2，以便在规定可接受的范围内满足关系：Vth1＜Vth2。

2.一种半导体器件，包括在初始状态中具有均匀特性的一组晶体管，其特征在于当在规定驱动条件下所述晶体管长时间操作时，所述晶体管的退化状态不同，并且所述晶体管的阈值电压的变化方向不同，所述半导体器件包括：

第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的阈值电压的变化方向是所述阈值电压的绝对值减小的方向；以及

第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的阈值电压的变化方向是所述阈值电压的绝对值增大的方向；

其中，预先设置所述第一薄膜晶体管的初始阈值电压Vth1和所述第二薄膜晶体管的初始阈值电压Vth2，以便在规定可接受的范围内满足关系：Vth1＜Vth2，以及

设计所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管，从而在电路操作的保证范围内，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的阈值电压之间的差值不会变大。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述第一薄膜晶体管中的掺杂浓度沟道区不同于所述第二薄膜晶体管中的掺杂浓度沟道区。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述第一薄膜晶体管的沟道长度不同于所述第二薄膜晶体管的沟道长度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述第一薄膜晶体管中衬底上的层结构不同于所述第二薄膜晶体管中衬底上的层结构；以及

所述第二薄膜晶体管的多晶硅膜的晶粒小于所述第一薄膜晶体管的多晶硅膜的晶粒。

6.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括在操作过程中阈值电压变化的多个薄膜晶体管，所述半导体器件具有：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的阈值电压的变化方向是所述阈值电压的绝对值减小的方向；以及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的阈值电压的变化方向是所述阈值电压的绝对值增大的方向；

其中，选择性地将杂质离子注入到所述第一薄膜晶体管的有源层或第二薄膜晶体管的有源层，以便在规定可接受的范围内，所述第一薄膜晶体管的初始阈值电压Vth1和所述第二薄膜晶体管的初始阈值电压Vth2满足关系：Vth1＜Vth2。

7.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括在操作过程中阈值电压变化的多个薄膜晶体管，所述半导体器件具有：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的阈值电压的变化方向是所述阈值电压的绝对值减小的方向；以及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的阈值电压的变化方向是所述阈值电压的绝对值增大的方向；

其中，选择性地设置所述第一薄膜晶体管的沟道长度或第二薄膜晶体管的沟道长度，以便在规定可接受的范围内，所述第一薄膜晶体管的初始阈值电压Vth1和所述第二薄膜晶体管的初始阈值电压Vth2满足关系：Vth1＜Vth2。

8.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括在操作过程中阈值电压变化的多个薄膜晶体管，所述半导体器件具有：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的阈值电压的变化方向是所述阈值电压的绝对值减小的方向；以及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的阈值电压的变化方向是所述阈值电压的绝对值增大的方向；

其中，所述第一薄膜晶体管中衬底上的层构造不同于所述第二薄膜晶体管中衬底上的层构造，以及所述第二薄膜晶体管的多晶硅膜的晶粒小于所述第一薄膜晶体管的多晶硅膜的晶粒，从而在规定可接受的范围内，所述第一薄膜晶体管的初始阈值电压Vth1和所述第二薄膜晶体管的初始阈值电压Vth2满足关系：Vth1＜Vth2。