[发明专利]含连接至子像素电极的晶体管的显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

第一栅极线和第二栅极线；

数据线，横穿所述第一栅极线和所述第二栅极线；

第一子像素电极；

第一晶体管，连接至所述第一栅极线、所述数据线、和 所述第一子像素电极；

第二子像素电极；

第二晶体管，连接至所述第一栅极线、所述数据线、和 所述第二子像素电极；

存储电容电极；

第三晶体管，连接至所述第一栅极线和所述存储电容电 极；

耦合电极，形成在所述存储电容电极上方，所述耦合电 极与所述第一子像素电极重叠，以形成升压电容器；以及

第四晶体管，连接至所述第二栅极线、所述耦合电极和 所述第二子像素电极。

2.根据权利要求1所述的显示装置，

其中，所述第三晶体管包括连接至所述耦合电极的源极 电极和连接至所述存储电容电极的漏极电极，而所述第四晶体 管包括连接至所述耦合电极的源极电极和连接至所述第二子 像素电极的漏极电极。    

3.根据权利要求2所述的显示装置，

其中，所述第三晶体管的漏极电极经由连接电极连接至 所述存储电容电极。

4.根据权利要求3所述的显示装置，

其中，所述第三晶体管的漏极电极和所述存储电容电极 由不同的金属层制成。

5.根据权利要求3所述的显示装置，

其中，所述第三晶体管的源极电极和所述第四晶体管的 源极电极由相同的金属层制成。

6.根据权利要求1所述的显示装置，

其中，所述存储电容电极与所述第一子像素电极重叠， 以形成第一存储电容器，而所述存储电容电极与所述第二子像 素电极重叠，以形成第二存储电容器。

7.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：

第一辅助电极，与所述存储电容电极一起形成第一存储 电容器，并通过第一接触孔连接至所述第一子像素电极；以及

第二辅助电极，与所述存储电容电极一起形成第二存储 电容器，并通过第二接触孔连接至所述第二子像素电极。

8.根据权利要求1所述的显示装置，

其中，所述存储电容电极包括：第一部分，与所述第二 子像素电极重叠，以形成第二存储电容器；以及第二部分，具 有比所述第一部分更窄的宽度，并与所述第一子像素电极重 叠，以形成第一存储电容器。

9.根据权利要求8所述的显示装置，还包括：

第三辅助电极，与所述存储电容电极的第一部分一起形 成第二存储电容器；

其中，第三辅助电极通过接触孔连接至第二子像素电极。

10.一种制造显示装置的方法，所述方法包括形成：第一栅极线； 第二栅极线；数据线，横穿所述第一栅极线和所述第二栅极线； 第一子像素电极；第一晶体管，连接至所述第一栅极线、所述 数据线、和所述第一子像素电极；第二子像素电极；第二晶体 管，连接至所述第一栅极线、所述数据线、和所述第二子像素 电极；存储电容电极；第三晶体管，连接至所述第一栅极线和 所述存储电容电极；耦合电极，形成在所述存储电容电极上方， 所述耦合电极与所述第一子像素电极重叠，以形成升压电容 器；以及第四晶体管，连接至所述第二栅极线、所述耦合电极 和所述第二子像素电极。

11.根据权利要求10所述的方法，

其中，所述第三晶体管包括连接至所述耦合电极的源极 电极和连接至所述存储电容电极的漏极电极，而所述第四晶体 管包括连接至所述耦合电极的源极电极和连接至所述第二子 像素电极的漏极电极。

12.根据权利要求11所述的方法，

其中，所述第三晶体管的漏极电极经由连接电极连接至 所述存储电容电极。

13.根据权利要求12所述的方法，

其中，所述第三晶体管的漏极电极和所述存储电容电极 由不同的金属层制成。