[发明专利]具有增强回转率的输出缓冲电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种缓冲放大器，特别是涉及一种显示面板源极驱动器的 低功率、高速输出缓冲电路。

背景技术

由于平面显示器(例如液晶显示器)解析度的逐渐增高，使得上千的 输出缓冲放大器或缓冲电路必须制造于驱动集成电路内。为了在驱动集成 电路内可以容纳这么多的缓冲放大器，因此必须减少每一缓冲放大器的面 积，且必须降低每一缓冲放大器消耗的功率，特别是稳态(static)消耗 功率。再者，鉴于大型显示面板中每一行(column)具有相当大的时间常 数(time constant)，为了提供足够的驱动能力来驱动此大型面板，因此 必须具有较小的稳定(settling)时间或者较大的回转率(slewrate)。 简单来说，对于高解析度的大型显示面板而言，低功率、高速的输出缓冲 电路是不可或缺的。

由此可见，上述现有的输出缓冲电路无法有效提供低消耗功率的高驱 动能力，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不 费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而 一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决 的问题。因此如何能创设一种新型的具有增强回转率的低功率、高速输出 输出缓冲电路，以适用于高解析度/大型显示面板实属当前重要研发课题之 一，亦成为当前业界极需改进的目标。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的输出缓冲电路存在的缺陷，而提供一 种新型的具有增强回转率的输出缓冲电路，所要解决的技术问题是使其有 效地对平面显示器的驱动电路提供高驱动能力，非常适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本发明提出的一种具有增强回转率(slewrate)的输出缓冲电路，包含： 一输出级，包含一来源(source)晶体管(即电晶体，本文均称为晶体管) 及一汲取(sink)晶体管，用以驱动一负载；一第一回转率增强晶体管， 用以增强该来源晶体管及汲取晶体管其中一个的回转率；一第二回转率增 强晶体管，用以增强该来源晶体管及汲取晶体管其中另一个的回转率；一 第一控制电路，用以控制该第一回转率增强晶体管；以及一第二控制电路， 用以控制该第二回转率增强晶体管；其中，当处于稳态时，该第一控制电 路、第二控制电路分别关闭该第一回转率增强晶体管、第二回转率增强晶 体管；当处于转态时，则分别开启该第一回转率增强晶体管、第二回转率 增强晶体管。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其更包含一输入级，其包含 至少一差动对(differential pair)，用以接收一输入信号。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本 发明提出的一种具有增强回转率(slew rate)的输出缓冲电路，包含：一 输入级，用以接收一输入信号；一输出级，包含一来源(source)晶体管 及一汲取(sink)晶体管，用以驱动一负载；一第一回转率增强晶体管，用 以增强该汲取晶体管的电流汲取能力；一第二回转率增强晶体管，用以增 强该来源晶体管的电流提供能力；一第一控制电路，用以控制该第一回转率 增强晶体管；以及一第二控制电路，用以控制该第二回转率增强晶体管；其 中，当处于稳态时，该第一控制电路、第二控制电路分别关闭该第一回转 率增强晶体管、第二回转率增强晶体管；当处于高至低转态时，该第一控 制电路开启该第一回转率增强晶体管；当处于低至高转态时，该第二控制 电路开启该第二回转率增强晶体管。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其中所述的输入级包含至少 一差动对(differential pair)。

前述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其中所述的第一回转率增强 晶体管为p型金氧半导体晶体管(PMOS)，其漏极(即汲极，本文均称为漏 极)连接并控制该汲取晶体管的栅极；当处于高至低转态时，该开启的第一 回转率增强晶体管开启该汲取晶体管，因而自该负载汲取电流。