[发明专利]固态成像装置、照相机和电子装置无效

专利信息
申请号: 200910006361.6 申请日: 2009-02-16
公开(公告)号: CN101510552A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 阿部高志;铃木亮司 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/482;H04N5/335;H04N5/225
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 彭久云
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固态 成像 装置 照相机 电子
【说明书】:

技术领域

发明总体上涉及固态成像装置、照相机和电子装置。特别是,本发明涉及在像素中包括转换器的固态成像装置,该转换器用于将光电转换元件产生的电荷转换成像素信号,例如CMOS图像传感器。本发明还涉及照相机和电子装置,它们每一个都提供有固态成像装置。这里,CMOS图像传感器是指至少部分利用CMOS工艺制造的图像传感器。

背景技术

CMOS图像传感器是通过包括二维布置的多个像素来提供的固态成像装置,每个像素包括光电转换元件和几个像素晶体管或者所谓的MOS晶体换,并且构造为将光电转换元件产生的电荷转换成图像信号,以随后被读出。近些年,CMOS图像传感器因其应用扩展到各种成像装置而受到人们的关注,例如应用于移动电话中使用的照相机、数字相机、数字摄像机和其它类似的装置。

图1图解了公知的CMOS图像传感器的实例。例如,CMOS图像传感器1通过包括具有布置为二维阵列的多个像素3(单元)的成像部分4以及包括周边电路来提供,其中每个像素都包括用作光电转换元件2的光敏二极管和几个像素晶体管(MOS晶体管)。

当光电转换元件2接收光时,积累光电转换所产生的信号电荷。这些像素晶体管在本实例中提供为四晶体管电路构造,包括转移晶体管6、复位晶体管7、放大晶体管8和选择晶体管9。转移晶体管6用作将积累在光电转换元件2中的信号电荷转移到浮置扩散(floating diffusion,FD)即放大晶体管8的栅极的晶体管。复位晶体管7是使放大晶体管8的栅极电位复位的晶体管。放大晶体管8用于放大信号电荷。选择晶体管9用于选择输出像素。

在像素3中,转移晶体管6的源极连接到光电转换元件2,并且转移晶体管6的漏极连接到复位晶体管7的源极。转移信号配线11连接到转移晶体管6的栅极,以控制该转移晶体管的栅极电位。对于复位晶体管7,其漏极连接到电源电压供给线(在下文称为电源配线)10,而其栅极连接到用于控制栅极电位的复位信号配线12。对于放大晶体管8,其漏极连接到电源配线10,其源极连接到选择晶体管9的漏极,而其栅极连接到转移晶体管6和复位晶体管7之间的浮置扩散(FD)。对于选择晶体管9,其源极连接到像素输出线14,而其栅极连接到用于控制栅极电位的选择信号配线13。

用于提供恒定电流的晶体管16连接到像素输出线14,以给被选择的放大晶体管8提供恒定电流,使放大晶体管8运行为源极跟随器,并且在像素输出线14上产生电位,从而该电位相对于晶体管8的栅极电位具有特定的固定电压差。恒定电位供给线17连接到晶体管16的栅极,用于提供固定的电位,从而晶体管16在饱和区域运行以提供固定的电流。

数字32表示接地电位,用于控制半导体阱区的电位适合于形成像素,而数字33表示接地配线。

另一方面,垂直选择单元21、列选择单元22和相关双采样(CDS,correlated double sampling)电路23提供为周边电路。另外,为像素3的每一行设置行选择AND电路25、另一个行选择AND电路26及再一个行选择AND电路27,行选择AND电路25的输出端连接到转移信号配线11,另一个行选择AND电路26的输出端连接到复位信号配线12,而再一个行选择AND电路27的输出端连接到选择信号配线13。

脉冲端28连接到每一行中行选择AND电路25的一个输入端,用于给转移信号配线11提供转移脉冲,而来自垂直选择单元21的输出连接到行选择AND电路25的另一个输入端。脉冲端29连接到每一行中行选择AND电路26的一个输入端,用于给复位信号配线12提供复位脉冲,而来自垂直选择单元21的输出连接到另一个输入端。脉冲端30连接到每一行中行选择AND电路27的一个输入端,用于给选择信号配线13提供选择脉冲,而来自垂直选择单元21的输出连接到另一个输入端。

对于这样的构造,每个控制脉冲仅提供给连接到由垂直选择单元21选择的行的信号配线。从每个像素3的读出操作通过如图2所示施加驱动信号执行如下。

图2所示的转移信号(脉冲)S1提供给转移信号配线11,复位信号(脉冲)S2提供给复位信号配线12,而选择信号(脉冲)S3提供给选择信号配线13。

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