[发明专利]图像处理方法和图像处理设备有效

专利信息
申请号: 200910006415.9 申请日: 2009-02-12
公开(公告)号: CN101544141A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 石见知三;川原真哉;堀田吉彦 申请(专利权)人: 株式会社理光
主分类号: B41M5/30 分类号: B41M5/30;B41M5/46;B41J2/315
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 赵蓉民;路小龙
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 图像 处理 方法 设备
【权利要求书】:

1.图像处理方法,其包括

下述中至少一个:

在透明度或色调根据温度可逆变化的热可逆记录介质上记录图 像,这通过使用半导体激光器设备应用激光束以加热所述热可逆记录 介质进行,和

通过应用激光束加热所述热可逆记录介质,擦除在所述热可逆记 录介质上记录的图像,

其中应用的所述激光束的强度分布满足下面表达式1表示的关系,

1.20≤I1/I2≤1.29    表达式1

其中I1指所述应用的激光束在所述应用的激光束的中心位置处的 照射强度,和I2指在相应于所述应用的激光束的总照射能量的95%的 平面上所述应用的激光束的照射强度。

2.根据权利要求1所述的图像处理方法,其中所述热可逆记录介质至 少包含载体和所述载体上的热可逆记录层;并且所述热可逆记录层的 透明度或色调在第一特定温度和高于所述第一特定温度的第二特定温 度下可逆地变化。

3.根据权利要求2所述的图像处理方法,其中所述热可逆记录层含有 树脂和低分子有机材料。

4.根据权利要求2所述的图像处理方法,其中所述热可逆记录层含有 无色染料和可逆显色剂。

5.根据权利要求1所述的图像处理方法,其中所述热可逆记录介质含 有光热转换材料。

6.根据权利要求5所述的图像处理方法,其中所述热可逆记录介质的 热可逆记录层含有所述光热转换材料。

7.根据权利要求5所述的图像处理方法,其中所述光热转换材料是酞 菁化合物。

8.根据权利要求1所述的图像处理方法,被用于在移动物体上记录图 像和从所述移动物体上擦除图像的至少一种。

9.图像处理设备,其包括

作为半导体激光器设备的激光束发射部件,

置于所述激光束发射部件中激光束发射表面上的光束扫描部件,

设置用于将激光束聚光的光束聚光部件,和

设置用于改变激光束照射强度分布的照射强度分布调节部件,

其中所述图像处理设备被用于图像处理方法,所述图像处理方法 包括下述中至少一个:在透明度或色调根据温度可逆变化的热可逆记 录介质上记录图像,这通过使用半导体激光器设备应用激光束以加热 所述热可逆记录介质进行,和通过应用激光束加热所述热可逆记录介 质,擦除在所述热可逆记录介质上记录的图像,

其中应用的所述激光束的强度分布满足下面表达式1表示的关系,

1.20≤I1/I2≤1.29        表达式1

其中I1指所述应用的激光束在所述应用的激光束的中心位置处的 照射强度,和I2指在相应于所述应用的激光束的总照射能量的95%的 平面上所述应用的激光束的照射强度。

10.根据权利要求9所述的图像处理设备,其中所述照射强度分布调 节部件是透镜、滤光器、掩模、光纤耦合和反射镜中至少任一个。

11.根据权利要求10所述的图像处理设备,其中所述透镜是非球面元 件透镜和衍射光学元件中的至少一个。

12.根据权利要求9所述的图像处理设备,其中所述激光束发射部件 是半导体激光二极管,并且所述图像处理设备进一步包含设置用于冷 却所述半导体激光二极管同时测量和控制所述半导体激光二极管的温 度的冷却部件。

13.根据权利要求9所述的图像处理设备,其中所述激光束发射部件 是半导体激光二极管,其具有0.70μm到1.55μm的发射波长。

14.根据权利要求9所述的图像处理设备,其中所述光束扫描部件是 电控光束扫描镜,并且所述光束聚光部件是fθ透镜。

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