[发明专利]具有光收集效果电极结构的光伏元件

权利要求书

1.一种光伏元件，包括：

生长基板；

III-V族化合物所形成的半导体结构位于该生长基板之上，该半导体结 构具有第一表面；以及

多个电极，位于该第一表面上，其中任一该多个电极具有至少一平面及 一剖面，该平面可改变光入射角度，并与该第一表面间具有夹角θ，其中 30°＜θ＜90°；该多个电极的剖面彼此分隔开。

2.如权利要求1所述的光伏元件，其中该多个电极上还包括抗反射层或 DBR结构。

3.如权利要求1所述的光伏元件，其中该生长基板为锗基板。

4.如权利要求1所述的光伏元件，其中该III-V族化合物所形成的半导 体结构为太阳电池。

5.如权利要求4所述的光伏元件，其中该太阳电池为单一结太阳电池或 多结太阳电池。

6.如权利要求5所述的光伏元件，其中该多结太阳电池为GaInP/GaAs/Ge 三电池串联的结构。

7.如权利要求1所述的光伏元件，其中该多个电极剖面形状不为正方形 或长方形。

8.如权利要求1所述的光伏元件，其中该平面为曲面或斜面。

9.如权利要求7所述的光伏元件，其中该多个电极剖面的上表面与下表 面不相等；其形状为三角形、圆弧形或梯形。

10.如权利要求1所述的光伏元件，其中该多个电极为反射率大于50％ 的材料所组成。