[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200910006636.6 | 申请日： | 2009-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN101504946A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 上村启介;小山内润 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;王丹昕 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，由半导体衬底和成对的MOS晶体管构成，该成对的MOS晶体管具有在所述半导体衬底上由相互正交地配置的多个沟道方向的沟道区域，夹着所述沟道相对的多个源极区域和多个漏极区域分别相互连接而作为一个晶体管工作。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述MOS晶体管的所述沟道区域为十字型，在由所述十字型沟道区域划分的4个区域中2个源极区域配置成彼此相对，剩余的区域中2个漏极区域配置成彼此相对。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述MOS晶体管由在第一导电型的半导体衬底上形成的第一导电型的矩形带状沟道区域；在所述矩形带状沟道区域所包围的区域内形成的第二导电型的漏极区域；在所述第一导电型的沟道区域的外侧区域形成的第二导电型的源极区域；在所述矩形带状沟道区域上形成的栅极绝缘膜；以及在所述栅极绝缘膜上形成的栅电极构成。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述MOS晶体管由在第一导电型的半导体衬底上形成的第一导电型的环状沟道区域；在所述环状沟道区域所包围的区域内形成的第二导电型的漏极区域；在所述第一导电型的沟道区域的外侧区域形成的第二等电型的源极区域；在所述环状沟道区域上形成的栅极绝缘膜；以及在所述栅极绝缘膜上形成的栅电极构成。
5.一种半导体装置，由成对MOS晶体管构成，其中，第一晶体管具有形成对于半导体芯片的一边呈垂直方向的沟道的第一沟道区域，第二晶体管具有形成对于所述半导体芯片的所述一边呈平行方向的沟道的第二沟道区域，夹着所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述第一及第二沟道区域而相对的多个源极区域及多个漏极区域分别相互连接，成为一个晶体管工作。
6.一种半导体装置，包括：在半导体衬底上配置具有相同沟道方向的4个MOS晶体管，在所述4个MOS晶体管中的对角线上的2个MOS晶体管的漏电极及栅电极分别连接的2组MOS晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
