[发明专利]绝缘膜的评价方法及测量电路

权利要求书

1.一种绝缘膜的评价方法，其特征在于，

使用由如下部分构成的测量电路：

由在某一导电型的半导体衬底上形成的相反导电型的第一扩散 层、在所述第一扩散层上形成的第一绝缘膜和在所述第一绝缘膜上形 成的第一电极构成的第一MOS二极管；

由与所述第一扩散层靠近而形成的第二扩散层、在所述第二扩散 层上形成的第二绝缘膜和在所述第二绝缘膜上形成的第二电极构成 的第二MOS二极管；

与所述第一电极及所述第二扩散层连接的第一端子；与所述第二 电极及所述第一扩散层连接的第二端子；在所述第一端子与所述第二 端子之间设置的电流源；以及与所述电流源并联配置的电压计，

在所述第一端子与所述第二端子之间通过单向的电流，测量所述 端子之间的电压变化。

2.如权利要求1中记载的绝缘膜的评价方法，其特征在于：

所述第一MOS二极管由多个MOS二极管构成，所述第二MOS 二极管由多个MOS二极管构成。

3.一种绝缘膜的评价方法，其特征在于，

使用由如下部分构成的测量电路：

由在某一导电型的半导体衬底上形成的相反导电型的第一扩散 层、在所述第一扩散层上形成的第一绝缘膜和在所述第一绝缘膜上形 成的第一电极构成的第一MOS二极管；

由与所述第一扩散层靠近而形成的第二扩散层、在所述第二扩散 层上形成的第二绝缘膜和在所述第二绝缘膜上形成的第二电极构成 的第二MOS二极管；

与所述第一电极连接的第一端子；与所述第二扩散层连接的第二 端子；与所述第二电极连接的第三端子；与所述第一扩散层连接的第 四端子；第一接点，所述第一端子经由第一开关与所述第一接点连接， 并且所述第二端子经由第二开关与所述第一接点连接；第二接点，所 述第三端子经由第三开关与所述第二接点连接，并且所述第四端子经 由第四开关与所述第二接点连接；在所述第一接点与第二接点之间设 置的电流源；以及与所述电流源并联配置的电压计，

在所述第一接点与所述第二接点之间通过单向的电流，测量所述 接点之间的电压变化。

4.如权利要求3中记载的绝缘膜的评价方法，其特征在于，

所述第一MOS二极管由多个MOS二极管构成，所述第二MOS 二极管由多个MOS二极管构成。

5.如权利要求3中记载的绝缘膜的评价方法，其特征在于，

在检测出所述接点之间的电压变化后进行开关开闭操作，以确定 成为不良的MOS二极管。

6.一种绝缘膜的测量电路，由如下部分构成：

由在某一导电型的半导体衬底上形成的相反导电型的第一扩散 层、在所述第一扩散层上形成的第一绝缘膜和在所述第一绝缘膜上形 成的第一电极构成的第一MOS二极管；

由与所述第一扩散层靠近而形成的第二扩散层、在所述第二扩散 层上形成的第二绝缘膜和在所述第二绝缘膜上形成的第二电极构成 的第二MOS二极管；

与所述第一电极及所述第二扩散层连接的第一端子；与所述第二 电极及所述第一扩散层连接的第二端子；在所述第一端子与所述第二 端子之间设置的电流源；以及与所述电流源并联配置的电压计。

7.如权利要求6中记载的绝缘膜的测量电路，其特征在于：

所述第一MOS二极管由多个MOS二极管构成，所述第二MOS 二极管由多个MOS二极管构成。