[发明专利]半导体器件及其制法、基板处理装置和半导体制造装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于具有：

第一半导体基板，其在表面上具有多个第一凸块，该多个第一凸块用于 与外部进行电连接，并具有连续且均匀平整的各表面；

第二半导体基板，其在表面上具有多个第二凸块，该多个第二凸块用于 与外部进行电连接，并具有通过使用刀具的切削加工所得到的连续且均匀平 整的各表面，

使每一个上述第一以及第二凸块的平整的上述各表面彼此相对置并连 接，从而将上述第一以及第二半导体基板一体化，

对上述第一半导体基板和第二半导体基板的各自的背面侧施行以各自的 表面为基准的机械加工，使各自背面平整化和基板厚度均一化，

上述机械加工是机械磨削加工。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在上述第一半导体基 板和第二半导体基板上分别设置有LSI元件，并且，在上述第一半导体基板 和第二半导体基板上，上述多个第一凸块和多个第二凸块分别与上述各LSI 元件连接。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述多个第一凸块和 多个第二凸块分别在上述第一半导体基板和第二半导体基板上高度相同。

4.一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括：

在一对半导体基板的各表面上分别形成多个上述凸块的工序；

将上述一对半导体基板固定在基板支承台上，通过使用刀具的切削加工 进行平整化处理，使得上述多个凸块的表面连续且平整的工序；

对上述多个凸块的表面被平整化的上述一对半导体基板，以上述各凸块 彼此对置的方式，连接并一体化的工序，

以上述一对半导体基板的各表面为基准，利用机械加工对各背面进行平 整化处理的工序；

以上述背面为基准，利用上述切削加工进行上述凸块的表面的上述平整 化处理；

上述机械加工是机械磨削加工。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成上述 凸块之后，以覆盖上述凸块的方式形成树脂膜，利用上述切削加工进行平整 化处理，使得上述各凸块的表面和上述树脂膜的表面连续且平整。

6.一种半导体器件，其特征在于，具有：

第一半导体芯片，其在表面上具有多个第一凸块，该多个第一凸块用于 与外部进行电连接，并具有通过使用刀具的切削加工所得到的连续且均匀平 整的各表面；

第二半导体芯片，其在表面上具有多个第二凸块，该多个第二凸块用于 与外部进行电连接，并具有通过使用刀具的切削加工所得到的连续且均匀平 整的各表面，

使每一个上述第一以及第二凸块的平整的上述各表面彼此相对置并连 接，从而将上述第一以及第二半导体芯片一体化，

对上述第一半导体芯片和第二半导体芯片的各自背面侧施行以各自表面 为基准的机械加工，使各自背面平整化和基板厚度均一化；

上述机械加工是机械磨削加工。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，以覆盖上述第一凸块 和第二凸块的方式形成有树脂膜，使上述第一凸块和第二凸块的表面和上述 树脂膜的表面连续均一地平整化。

8.一种半导体器件，其特征在于，具有：

半导体芯片，其在表面上具有多个柱状凸块，该多个柱状凸块用于与外 部进行电连接，并通过使用刀具的切削加工，突起部分的上表面在上述半导 体芯片上变得连续且均匀平整，

基板，其在表面上具有多个电极；

上述各柱状凸块的平坦的上述表面和上述各电极的表面相对置并连接， 由此上述半导体芯片和上述基板构成为一体；

对上述半导体芯片背面侧施行以该半导体芯片表面为基准的机械加工， 使该半导体芯片背面平整化和基板厚度均一化；

上述机械加工是机械磨削加工；

通过使用刀具的切削加工对形成在上述基板上的多个电极进行平整化处 理，使得表面连续且平整，

以上述电极表面彼此对置的方式，连接上述半导体芯片和上述基板且进 行一体化。