[发明专利]多输入混频器、混频装置及混频方法有效
申请号: | 200910006704.9 | 申请日: | 2009-02-13 |
公开(公告)号: | CN101567663A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 刘仁杰;艾特·特格特塞夫克特 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | H03D7/00 | 分类号: | H03D7/00;H03D7/12;H04B1/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 周少杰 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输入 混频器 混频 装置 方法 | ||
1.一种混频装置,包含:
一差动电路,接收一差动输入信号,并产生一差动输出信号;
一混合电路,耦接于该差动电路,接收多个射频信号,用以依据一致能 信号决定是否对该多个射频信号中的至少一射频信号与该差动输入信号进行 混频;以及
一选择电路,耦接于该混合电路,接收一控制信号,并产生该致能信号。
2.如权利要求1所述的混频装置,其中该差动电路更包含有:
一第一差动对电路,包括有一第一晶体管及一第二晶体管,该第一及第 二晶体管的栅极分别接收该差动输入信号的正反向信号,且该第一及第二晶 体管的漏极分别输出该差动输出信号的正反向信号;
其中,该第一及第二晶体管的源极相互耦接于一起。
3.如权利要求1所述的混频装置,其中该混合电路更包含有:
多个晶体管,彼此并联耦接,且这些晶体管的栅极用以分别接收一射频 信号。
4.如权利要求3所述的混频装置,其中该选择电路分别耦接于这些晶体 管的栅极,依据该控制信号来个别控制这些晶体管的开关。
5.如权利要求2所述的混频装置,其中该混合电路耦接于该第一差动对 电路的该第一晶体管的源极。
6.如权利要求1所述的混频装置,其中该差动电路包含有:
一第一差动对电路,包括有一第一晶体管及一第二晶体管,该第一及第 二晶体管的源极相互耦接,其中该第一及第二晶体管的栅极分别接收该差动 输入信号的正反向信号,且该第一晶体管的漏极输出该差动输出信号的正向 信号;以及
一第二差动对电路,包括有一第三晶体管及一第四晶体管,该第三及第 四晶体管的源极相互耦接,其中该第三及第四晶体管的栅极分别接收该差动 输入信号的正反向信号,且该第四晶体管的漏极输出该差动输出信号的反向 信号;
其中,该第三晶体管的漏极耦接于该第一晶体管的漏极,且该第四晶体 管的漏极耦接于该第二晶体管的漏极。
7.如权利要求6所述的混频装置,其中该混合电路更包含有:
多个第五晶体管,彼此相互并联耦接,且这些第五晶体管的栅极用以分 别接收一射频信号;及多个第六晶体管,彼此相互并联耦接,且这些第六晶 体管的栅极用以分别接收一射频信号;其中,这些第五晶体管耦接于该第一 差动对电路的源极,且这些第六晶体管耦接于该第二差动对电路的源极。
8.如权利要求1所述的混频装置,其中该差动输入信号为一差动本地振 荡信号,且该差动输出信号为一中频信号。
9.如权利要求4所述的混频装置,其中该致能信号包含有多个启动信号, 这些启动信号以一对一的方式分别耦接于这些晶体管的栅极。
10.如权利要求9所述的混频装置,其中这些启动信号具有至少二电压 电平,该至少二电压电平中的一第一电压电平为这些晶体管的导通电压。
11.如权利要求7所述的混频装置,其中该致能信号包含有多个启动信 号,这些启动信号以一对一的方式分别耦接于这些第五与这些第六晶体管的 栅极。
12.如权利要求11所述的混频装置,其中这些启动信号具有至少二电压 电平,该至少二电压电平中的一第一电压电平能将这些第五晶体管与这些第 六晶体管予以导通。
13.一种混频方法,包含:
接收一差动输入信号;
接收多个射频信号;
依据一控制信号决定该差动输入信号与这些射频信号中的何者进行混频 以产生一差动输出信号;以及
输出该差动输出信号,
其中该进行混频的步骤更包含:
提供一选择电路,依据该控制信号产生一致能信号;以及
提供一混合电路,依据该致能信号决定这些射频信号中的一射频信号与 该差动输入信号进行混频。
14.如权利要求13所述的混频方法,其中该差动输入信号是一差动本地 振荡信号,且该差动输出信号是一中频信号。
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