[发明专利]金属-绝缘体-金属电容结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200910006933.0 | 申请日： | 2009-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101807607A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 高新立;孙自军;李雪林 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L29/41;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 电容 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种金属-绝缘体-金属电容结构，其特征在于，设置于金属-绝缘体-金属电容凹槽中，该凹槽的深度由第一金属层与其前层金属的距离来定义，包括
由沉积金属层和第一金属层形成的下电极，其中沉积金属层位于第一金属层之上；
由第二金属层沉积形成的上电极；
上、下两个电极之间的绝缘电介质。
2.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属电容结构，其特征在于，上述第一金属层为多层金属结构中的倒数第二层金属。
3.根据权利要求2所述的金属-绝缘体-金属电容结构，其特征在于，第二金属层为铜金属层。
4.根据权利要求1-3所述的金属-绝缘体-金属电容结构，其特征在于，下电极中沉积金属层为Ti/TiN层。
5.一种金属-绝缘体-金属电容结构的制作方法，其特征在于，该方法包含有下列步骤：
(1)在第一金属层沉积后，在需要做电容的区域定义出金属-绝缘体-金属电容图形，进行金属蚀刻及下方介质层蚀刻定义出凹槽，利用相对第一金属层的前层金属作为凹槽蚀刻阻挡层，来定义凹槽深度；
(2)沉积金属层与第一金属层一起形成金属-绝缘体-金属电容下电极；
(3)生长薄层绝缘电介质；
(4)第二金属层沉积及化学机械研磨制造工艺形成金属-绝缘体-金属电容上电极。
6.根据权利要求5所述的金属-绝缘体-金属电容结构的制作方法，其特征在于，上述第一金属层为多层金属结构中的倒数第二层金属。
7.根据权利要求6所述的金属-绝缘体-金属电容结构的制作方法，其特征在于，上述步骤(4)采用铜制造工艺工艺填充凹槽，接下来的平坦化制造工艺来隔绝电容凹槽，平坦化之后进行湿法清洗，最后形成金属-绝缘体-金属电容上电极。
8.根据权利要求5-7所述的金属-绝缘体-金属电容结构的制作方法，其特征在于，上述步骤(2)中的沉积金属层为Ti/TiN层。
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