[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体器件以及配线基板

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

半导体芯片安装步骤：把半导体芯片安装在支撑板上，并使所 述半导体芯片的设置有多个端子电极的一侧露出来；

绝缘层形成步骤：形成绝缘层以覆盖所述半导体芯片的设置有 多个端子电极的一侧；

穿通电极形成步骤：形成穿通电极，所述穿通电极与所述端子 电极连接并穿透所述绝缘层；

金属配线形成步骤：在所述绝缘层上形成与所述穿通电极连接 的金属配线；以及

外部端子电极形成步骤：在所述金属配线上形成用于使所述金 属配线与外部连接的外部端子电极，

其中，相邻的所述外部端子电极之间的间隔大于相邻的所述端 子电极之间的间隔，并且

所述半导体芯片安装步骤包括：

金属膜形成步骤：在所述支撑板上形成第一金属膜，并且 在所述第一金属膜上形成第二金属膜；

安装孔形成步骤：使所述第二金属膜形成用于安装所述半 导体芯片的安装孔；以及

安装和粘接步骤：把所述半导体芯片装入所述安装孔，并 用粘合剂把所述半导体芯片粘接在所述安装孔中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述半导体芯片安装步骤是用粘合剂把所述半导体芯片 粘接在所述支撑板上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述支撑板是铜板或科瓦铁镍钴合金板。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述绝缘层是由环氧系树脂或聚酰亚胺系树脂制成的。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述安装孔形成步骤是把干膜抗蚀剂沉积在所述第二金 属膜上，使所述干膜抗蚀剂曝光和显影以形成与所述安装孔相对应的 抗蚀图案，然后蚀刻形成有所述抗蚀图案的所述第二金属膜。

6.根据权利要求1或5所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述支撑板是铜板、科瓦铁镍钴合金板、镍板和玻璃纤 维环氧树脂板中的任一种板。

7.根据权利要求1或5所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述第一金属膜含有金。

8.根据权利要求1或5所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述第二金属膜是由铜制成的。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述半导体芯片安装步骤包括：

安装孔形成步骤：使所述支撑板形成用于安装所述半导体 芯片的安装孔；以及

安装和粘接步骤：把所述半导体芯片装入所述安装孔，并 用粘合剂把所述半导体芯片粘接在所述安装孔中。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述安装孔形成步骤是把干膜抗蚀剂沉积在所述支撑板 上，使所述干膜抗蚀剂曝光和显影以形成与所述安装孔相对应的抗蚀 图案，然后蚀刻形成有所述抗蚀图案的所述支撑板。

11.根据权利要求9或10所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述支撑板是铜板或科瓦铁镍钴合金板。