[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在形成于衬底上的包含碳的低介电常数层中形成通路孔，并且

在所述低介电常数层以及所述低介电常数层上形成的第一保护绝 缘层中形成沟槽以与一部分所述通路孔相连续，从而形成包括通路孔 和沟槽的双镶嵌式沟槽，

其中，所述的形成所述沟槽包括：

在所述第一保护绝缘层上形成抗蚀剂层，所述抗蚀剂层具有用于 形成沟槽的开口图案，并且利用所述抗蚀剂层作为掩模来在所述第一 保护绝缘层和所述低介电常数层中形成第一凹部；

去除当形成所述第一凹部时在所述低介电常数层的所述第一凹部 的侧壁上形成的损伤层；

通过化学气相沉积技术在所述衬底的整个表面的上方形成第二保 护绝缘层，以通过用所述第二保护绝缘层来覆盖在所述第一保护绝缘 层和所述低介电常数层中的所述第一凹部的侧壁而在所述第一保护绝 缘层和所述低介电常数层中形成第二凹部；以及

通过回蚀来成形所述第二保护绝缘层以形成沟槽，该沟槽具有在 所述低介电常数层的表面上选择性地形成有所述第二保护绝缘层的侧 壁，

其中，所述第二保护绝缘层具有等于或小于所述低介电常数层的 相对介电常数的相对介电常数。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，在所述双镶嵌式沟槽中包括的所述沟槽的侧壁处露出所述 第一保护绝缘层和所述第二保护绝缘层。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中，在所述的去除所述损伤层之后，所述第一凹部的侧壁具有 一种所述第一保护绝缘层的侧面从所述低介电常数层的侧面突出的结 构，以及，

在所述的通过回蚀来成形所述第二保护绝缘层之后，所述第二保 护绝缘层嵌入在所述第一保护绝缘层下方的区域中的、所述低介电常 数层的侧面处。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述的形成所述第一凹部之后并且在所述的去除所述损伤层之 前，通过灰化去除所述抗蚀剂层。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述低介电常数层是SiOC层或SiOCH层。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第二保护绝缘层由与所述低介电常数层相同的材料制 成。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第二保护绝缘层是SiOF层、SiOH层、SiOC层或SiOCH 层。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中，在所述衬底上所形成的下互连上形成所述低介电常数层， 以及，

在所述的形成所述沟槽中，当形成所述沟槽时露出所述下互连。

9.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第一保护绝缘层是SiO₂层。

10.一种半导体器件，包括：

衬底；

低介电常数层，其形成在所述衬底上并包含碳；

第一保护绝缘层，其形成在所述低介电常数层上；

用于形成双镶嵌式沟槽的通路孔，所述通路孔形成在所述低介电 常数层中，

沟槽，其形成所述第一保护绝缘层以及所述低介电常数层中，所 述沟槽被形成为与所述通路孔的一部分相连续，从而形成包括通路孔 和沟槽的所述双镶嵌式沟槽；以及

互连，其嵌入所述沟槽中，

其中，所述沟槽的侧壁具有如下结构：所述第一保护绝缘层的表 面从所述低介电常数层的表面突出，通过化学气相沉积技术所形成的 第二保护绝缘层嵌入在所述第一保护绝缘层下方的区域中的所述低介 电常数层的表面处，以及所述沟槽的侧壁由所述第二保护绝缘层和所 述第一保护绝缘层构成，并且

其中，所述第二保护绝缘层具有等于或小于所述低介电常数层的 相对介电常数的相对介电常数。