[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

穿透第一层间绝缘层并部分突出高于所述第一层间绝缘层的第一存储 节点接触塞；

与突出高于所述第一层间绝缘层的所述第一存储节点接触塞接触的第 二存储节点接触塞；

接触所述第二存储节点接触塞顶表面的存储节点；和

在所述第一层间绝缘层上形成的第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘 层包围所述存储节点底部区的外侧壁、所述第二存储节点接触塞以及突出 高于所述第一层间绝缘层的第一存储节点接触塞。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一层间绝缘层包括氧 化物层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二层间绝缘层包括氮 化物层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一层间绝缘层包括氧 化物层，所述第二层间绝缘层包括氮化物层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二层间绝缘层的厚度 小于所述第一层间绝缘层的厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一存储节点接触塞和 所述第二存储节点接触塞由相同材料形成。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一存储节点接触塞和 所述第二存储节点接触塞包括多晶硅层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二存储节点接触塞具 有其中所述第二存储节点接触塞覆盖所述第一存储节点接触塞的预定区 域的曲折结构。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述存储节点包括氮化钛 (TiN)、氮化钽(TaN)、氮化铪(HfN)、钌(Ru)、氧化钌(RuO₂)、铂 (Pt)、铱(Ir)和氧化铱(IrO₂)中的任意一种或它们的堆叠层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第二存储节点接触 塞和所述存储节点之间的欧姆接触层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述欧姆接触层包括金属硅 化物。

12.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成穿透层间绝缘层的存储节点接触塞；

在所述层间绝缘层上形成隔离绝缘层；

通过选择性地蚀刻所述隔离绝缘层来实施主蚀刻工艺以形成开口区 域，所述开口区域暴露出所述存储节点接触塞的顶表面；

通过在所述开口区域底部处蚀刻掉预定厚度的所述存储节点接触塞来 实施过蚀刻工艺，以扩展所述开口区域；

在所述开口区域中形成存储节点；和

移除所述隔离绝缘层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述存储节点接触塞包括：

形成包括第一存储节点接触塞的第一层间绝缘层；

使所述第一层间绝缘层凹陷，以使得所述第一存储节点接触塞部分突 出高于所述第一层间绝缘层；

形成第二层间绝缘层，以覆盖突出高于所述第一层间绝缘层的所述第 一存储节点接触塞；

通过选择性地蚀刻所述第二层间绝缘层形成接触孔，以部分暴露出所 述第一存储节点接触塞；和

通过利用导电层填充所述接触孔形成第二存储节点接触塞。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一层间绝缘层和所述隔离绝 缘层包括氧化物层。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二层间绝缘层包括氮化物 层。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一层间绝缘层和所述隔离绝 缘层包括氧化物层，所述第二层间绝缘层包括氮化物层。

17.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述第二层间绝缘层的厚度 小于所述第一层间绝缘层的厚度。