[发明专利]沟道式金属氧化物半导体元件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 200910007232.9 申请日: 2009-02-13
公开(公告)号: CN101807546A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 许修文 申请(专利权)人: 尼克森微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/8234 分类号: H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/92;H01L29/78
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 沟道 金属 氧化物 半导体 元件 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种沟道式金属氧化物半导体元件的制作方法,其特征在于包括:

提供一基板;

形成一外延层于该基板上;

制作至少一栅极沟道于该外延层内;

制作一栅极介电层于该栅极沟道的内壁;

沿着该栅极沟道的内壁,沉积一第一多晶硅层,使该第一多晶硅层邻接于 该栅极介电层;

植入一第一导电型的掺杂物至位于该栅极沟道底部的部分该第一多晶硅 层;

于该栅极沟道的中央,沉积一第二多晶硅层覆盖该第一多晶硅层,该第二 多晶硅层掺杂有一第二导电型的掺杂物;以及

施以高温工艺,使该第一多晶硅层与该第二多晶硅层内的掺杂物扩散,形 成一第一导电型的第一掺杂区与一第二导电型的第二掺杂区,该第一导电型的 第一掺杂区位于该栅极沟道的底部,该第二导电型的第二掺杂区与该第一导电 型的第一掺杂区之间形成一PN结电容。

2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于在沉积该第一多晶硅层的 步骤后,还包括形成一牺牲氧化层覆盖该第一多晶硅层,该第一导电型的掺杂 物通过该牺牲氧化层植入该第一多晶硅层,并且,在沉积该第二多晶硅层的步 骤前,还包括移除该牺牲氧化层。

3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,该第一多晶硅层为一未 掺杂多晶硅层或是一轻掺杂多晶硅层。

4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于在形成该第一导电型的第 一掺杂区与该第二导电型的第二掺杂区的步骤后,还包括形成一金属硅化物层 于该第二导电型的第二掺杂区的表面。

5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于在沉积该第二多晶硅层覆 盖该第一多晶硅层的步骤后,还包括回蚀刻该第一多晶硅层与该第二多晶硅层 以形成一多晶硅栅极于该栅极沟道内。

6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,该第一导电型的第一掺 杂区的掺杂浓度与该第二导电型的第二掺杂区的掺杂浓度大致相当。

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