[发明专利]光电二极管阵列、其制造方法和放射线检测器

权利要求书

1.一种光电二极管阵列，其特征在于，

配备：高浓度添加第1导电类型的杂质的半导体基板；

连接于该半导体基板的被检测光的入射面的相反面侧设置的第1导电类型的半导体层；以及

在该第1导电类型的半导体层的内部排列形成阵列状的第2导电类型的多个光检测层，

所述半导体基板通过去除对应于所述光检测层的区域来形成栅格状，

所述半导体基板与所述半导体层在相互连接的界面上结晶方位交叉。

2.一种光电二极管阵列的制造方法，其特征在于，具备：

第1工序，准备由第1导电类型的半导体形成至少被检测光的入射面侧和其相反面侧、向所述入射面侧高浓度添加第1导电类型的杂质的基板；

第2工序，在所述基板的所述相反面侧的第1导电类型区域的内部，使第2导电类型的多个光检测层排列形成阵列状；以及

第3工序，通过从所述入射面侧蚀刻变薄所述基板的对应于所述光检测层的区域，形成排列成阵列状的多个凹部、和分隔所述多个凹部的栅格状的、高浓度添加有第1导电类型的杂质的凸部，

所述第1工序具有：

准备高浓度添加有第1导电类型的杂质的半导体基板的工序；以及

使第1导电类型的半导体薄板贴合在所述半导体基板的所述被检测光的入射面的相反面侧的工序，

所述半导体基板与所述半导体薄板在贴合界面上结晶方位交叉。

3.一种放射线检测器，其特征在于，具备：

权利要求1所述的光电二极管阵列；以及 

装配在该光电二极管阵列的所述被检测光的入射面侧、通过入射放射线来发光的闪烁器面板。

4.一种放射线检测器，其特征在于，具备：

利用权利要求2所述的制造方法制造的光电二极管阵列；以及

装配在该光电二极管阵列的所述被检测光的入射面侧、通过入射放射线来发光的闪烁器面板。