[发明专利]可降低存储器漏电流的方法及其相关装置

权利要求书

1.一种可降低存储器漏电流的方法，包含有：

当该存储器处于待机状态及操作状态时，提供一第一电压给该存储器的 一主字线驱动装置及提供高于该第一电压的一第二电压给该存储器的一区 字线驱动装置；以及

于该区字线驱动装置中使用一绝对阈值电压高于一特定值的一晶体管。

2.如权利要求1所述的可降低存储器漏电流的方法，其中该第一电压由 一外部电压源所提供。

3.如权利要求2所述的可降低存储器漏电流的方法，其中该外部电压源 符合联合电子装置工程协会有关第二代低耗能动态随机存取存储器的外部 电压电平的规定。

4.如权利要求1所述的可降低存储器漏电流的方法，其中该第二电压由 存储器内的一电荷泵电路所提供。

5.如权利要求1所述的可降低存储器漏电流的方法，其中该特定值为 1.6V。

6.如权利要求1所述的可降低存储器漏电流的方法，其中该晶体管为一 P型金属氧化物半导体场效晶体管。

7.一种可降低存储器漏电流的装置，包含有：

一第一电压供应装置，用来当该存储器处于待机状态及操作状态时，提 供一第一电压给该存储器的一主字线驱动装置；以及

一第二电压供应装置，用来当该存储器处于该待机状态及该操作状态 时，提供高于该第一电压的一第二电压给该存储器的一区字线驱动装置；

其中，该区字线驱动装置中使用一绝对阈值电压高于一特定值得一晶体 管。

8.如权利要求7所述的可降低存储器漏电流的装置，其中该第一电压符 合联合电子装置工程协会有关第二代低耗能动态随机存取存储器的外部电 压电平的规定。

9.如权利要求7所述的可降低存储器漏电流的装置，其中该第二电压由 存储器内的一电荷泵电路所提供。

10.如权利要求7所述的可降低存储器漏电流的装置，其中该特定值为 1.6V。

11.如权利要求7所述的可降低存储器漏电流的装置，其中该晶体管为 一P型金属氧化物半导体场效晶体管。