[发明专利]薄膜磁传感器有效
| 申请号： | 200910007620.7 | 申请日： | 2009-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101520493A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 小山惠史 | 申请（专利权）人： | 大同特殊钢株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01F10/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 传感器 | ||
1.一种薄膜磁传感器，其包括：
GMR膜，该GMR膜具有巨磁电阻效应；以及
薄膜磁轭，该薄膜磁轭由软磁材料形成并且被电连接到所 述GMR膜的两端；
其中，所述薄膜磁轭具有感磁方向上的去磁系数为NL的 高灵敏度部分和所述感磁方向上的去磁系数为NH的低灵敏度 部分，所述低灵敏度部分与所述高灵敏度部分串联地电连接， 且NH＞NL。
2.根据权利要求1所述的薄膜磁传感器，其特征在于，
所述高灵敏度部分具有沿所述感磁方向延伸的一个以上的 纵向长部分；并且
所述低灵敏度部分具有沿与所述感磁方向交叉的方向从所 述纵向长部分延伸的一个以上的横向长部分。
3.根据权利要求2所述的薄膜磁传感器，其特征在于，所 述薄膜磁轭具有T字形状，并且借助于T字形状的横向棒部使 所述薄膜磁轭与所述GMR膜电连接。
4.根据权利要求2所述的薄膜磁传感器，其特征在于，所 述薄膜磁轭具有矩形形状并且在与所述感磁方向交叉的方向上 形成有一个以上的切口。
5.根据权利要求4所述的薄膜磁传感器，其特征在于，所 述薄膜磁轭的宽度与所述GMR膜的宽度相同。
6.根据权利要求4所述的薄膜磁传感器，其特征在于，所 述薄膜磁轭的宽度比所述GMR膜的宽度大。
7.根据权利要求1所述的薄膜磁传感器，其特征在于，所 述薄膜磁轭具有T字形状并且借助于T字形状的横向棒部使所 述薄膜磁轭与所述GMR膜电连接。
8.根据权利要求1所述的薄膜磁传感器，其特征在于，所 述薄膜磁轭具有矩形形状并且在与所述感磁方向交叉的方向上 形成有一个以上的切口。
9.根据权利要求8所述的薄膜磁传感器，其特征在于，所 述薄膜磁轭的宽度与所述GMR膜的宽度相同。
10.根据权利要求8所述的薄膜磁传感器，其特征在于， 所述薄膜磁轭的宽度比所述GMR膜的宽度大。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的薄膜磁传感器， 其特征在于，所述GMR膜由金属-绝缘体基纳米颗粒材料形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大同特殊钢株式会社，未经大同特殊钢株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910007620.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
