[发明专利]氮化物半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 200910007988.3 | 申请日： | 2007-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101499618A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;川口佳伸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L21/318;H01L21/316;H01S5/028 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本国大阪府大阪市阿倍野*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化物半导体发光器件，所述氮化物半导体发光器件包含在发 光部分形成的涂膜，所述涂膜包含氧氮化铝晶体，其中所述氮化物半导体 发光器件是氮化物半导体激光器，所述涂膜由组成结构式AlaObNc表示的 氧氮化铝制成并且形成在所述氮化物半导体激光器发光侧的小平面上，其 中a+b+c＝1，0＜b≤0.35，所述涂膜通过溅射形成并且所述涂膜包含氩。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中所述氧氮化铝 晶体具有与形成所述发光部分的氮化物半导体晶体的晶轴对齐的晶轴。
3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中在所述涂膜中 的所述氩含量在大于0原子％并且小于5原子％的范围内。
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