[发明专利]氮化物半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光器件，所述氮化物半导体发光器件包含在发光部分形成的涂膜，其中所述涂膜包括氮化铝晶体；并且

所述氮化铝晶体具有与形成所述发光部分的氮化物半导体晶体的晶轴对齐的晶轴。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中所述涂膜的厚度是至少6nm并且至多150nm。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中在所述涂膜上形成由氧化物、氧氮化物或氮化物制成的膜。

4.根据权利要求3所述的氮化物半导体发光器件，其中在所述涂膜上的所述由氧化物制成的膜是氧化铝膜、氧化硅膜、氧化钛膜、氧化铪膜、氧化锆膜、氧化铌膜、氧化钽膜或氧化钇膜。

5.根据权利要求3所述的氮化物半导体发光器件，其中在所述涂膜上的所述由氧氮化物制成的膜是氧氮化铝膜或氧氮化硅膜。

6.根据权利要求3所述的氮化物半导体发光器件，其中在所述涂膜上的所述由氮化物制成的膜是氮化铝膜或氮化硅膜。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中在所述涂膜上形成氟化镁膜。

8.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中所述氮化物半导体发光器件是氮化物半导体激光器，并且在所述氮化物半导体激光器的发光侧的小平面上形成所述涂膜。

9.根据权利要求8所述的氮化物半导体发光器件，其中使用由组成结构式Al_sGa_tN表示的氮化物半导体制成的衬底作为衬底，其中s+t＝1，0≤s≤1，0≤t≤1。

10.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其中所述氮化物半导体发光器件是氮化物半导体发光二极管器件，并且在所述氮化物半导体发光二极管器件的发光表面上形成所述涂膜。

11.根据权利要求10所述的氮化物半导体发光器件，其中使用由组成结构式Al_sGa_tN表示的氮化物半导体制成的衬底作为衬底，其中s+t＝1，0≤s≤1，0≤t≤1。

12.一种制备权利要求1所述的氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括如下步骤：

使用氩或氮等离子体辐照所述发光部分；并且

在所述等离子体的辐照之后，在所述发光部分形成所述氮化铝晶体。

13.根据权利要求12所述的制备氮化物半导体发光器件的方法，其中所述氮化铝晶体的形成温度至少是200℃。