[发明专利]具有晶片对准装置的晶片处理设备

说明书

技术领域

本发明大体涉及设置有晶片对准装置的晶片处理设备，并且 具体地，涉及修正其上晶片的偏离的晶片传送装置。

背景技术

近年来，单位时间处理的晶片数量(＝生产能力)已成为与在 半导体生产中使用的半导体制造设备相联系的热切关注的事情。为了 提高生产能力，已在半导体制造设备上试验过各种办法，例如增加晶 片处理室的数量，设置晶片传送装置的多个臂，以及提高晶片传送装 置的晶片装载速度。

然而，一个主要问题仍然没有解决，那就是由更高晶片装载 速度所导致的晶片传送装置上的晶片偏离。具体而言，当晶片被放置 在偏离晶片处理室内的指定位置时，诸如薄膜均匀性降低等的各种处 理问题将会出现。而且，在将晶片送回晶片存储室的过程中，晶片可 能掉进晶片存储室，或者晶片可能碰到晶片存储室而被损坏。

解决晶片偏离这种问题的一般公知的方法是在一个或多个晶 片装载目的地内向前的一个或数个位置放置一个或者多个光电传感器 以测量当晶片传送装置将晶片装载到目的地时，由光电传感器接收的 光被阻挡时的时段，或者来自传送装置的编码器的脉冲数量，并且为 了检测晶片位置的偏离且校正晶片位置，将测量值与对应正确晶片位 置的预记录值进行比较。

以上说明的方法也采用了输出信号的数字采样，当晶片传送 装置运转时，对输出信号进行数字采样是用于检测传感器输出的一般 方法。具体地，所述输出信号的数字采样方法是信号值按时间顺序被 转换成数字值并且所转变的数字数据序列被用于获得最大或者最小值 的方法。近年来，数字采样与数据分析利用诸如EES(设备工程系统) 系统而进行。

然而，当使用这样的采样方法时，难于掌控高速运转的晶片 传送装置的高速运转。在100ms的采样频率下(所述频率是EES使用 的大体采样频率)，实际上不可能跟随晶片传送装置的臂的操作。如果 为解决此问题而使晶片传送装置的运转操作速度下降，则半导体制造 设备的生产能力将降低。另一方面，如果提高采样频率，则数据量将 增加并且存储数据的存储装置将成为必需品。这将不可避免地导致更 高成本。

而且，在晶片传送装置的臂的延伸方向的偏离仅从传感器的 输出无法检测。为了检测在臂的延伸方向的偏离，传送装置控制器必 须具有专门设计的内置式晶片偏离检测部件，以监控晶片传送装置自 身的操作以及在传感器接收的光被阻挡期间，对来自传送装置的编码 器的脉冲进行计数。使用这样的检测部件将出现诸如检测准确度以及 成本增加的问题。

发明内容

根据旨在解决以上提及的至少一个问题的本发明实施例，一 种半导体制造装置具有定位在晶片传送装置上放置的晶片的前向或侧 向的光电传感器，在该位置，当晶片传送装置静止时，来自前向光电 传感器的输出信号被检测，并且在晶片传送装置将晶片装载到处理室 过程中，来自侧向光电传感器的输出信号在晶片经过所述侧向传感器 时被检测，并且两个检测到的输出信号与对应于正确晶片位置的预记 录信号进行比较以计算晶片偏离量并校正偏离量，因此使晶片被装载 到处理室内的正确位置。

在本发明的一个实施例中，在晶片的侧向定位的光电传感器 被连接到峰值保持电路，该峰值保持电路能存储由所述传感器接收、 被晶片阻挡的最大光量。这样，晶片传送装置的速度无须被降低并且 也无需对光电传感器输出信号进行高速采样或者对从传送装置来的脉 冲进行计数。此外，也不再需要在传送装置控制器内设置专用的内置 式晶片偏离检测部件。当以上所有有利之处合在一起，以成本经济的 方式提供检测与校正晶片偏离的功能成为可行。

出于概括本发明各方面以及所获得的优于相关技术优点的目 的，本发明的确定目的与优点有利之处在此份公开中说明。当然，也 要理解，不是所有这些目的和优点都应在本发明的任何具体实施例中 实现。因此，例如，所属技术领域的人员将认识到本发明可以以下面 的方式实施或实现，即获得或优化在此教导的一个或一组优点而不必 获得在此说明或建议的其它目的或优点。

从下面的优选实施例的详细描述，本发明的另外的方面、特 征与优点将变得显而易见。

附图说明

现在将参照优选实施例的附图本，描述发明的这些与其它特 征，这些优选实施例旨在说明而不是限制本发明。出于说明的目的， 附图被高度简化并且未按比例绘制。