[发明专利]光半导体装置

权利要求书

1.一种光半导体装置，其特征在于，

在半导体衬底上依次形成有第一导电型的分布布喇格反射层、光吸 收层和第二导电型的半导体层，

所述第一导电型的分布布喇格反射层具有：带隙波长小于入射光的 波长并且具有第一折射率的第一半导体层；带隙波长大于入射光的波长 并且具有比所述第一折射率高的第二折射率的第二半导体层，

所述第一半导体层的光学层厚度与所述第二半导体层的光学层厚 度之和为入射光的波长的一半，

所述第一半导体层的光学层厚度大于所述第二半导体层的光学层 厚度。

2.如权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

所述第一半导体层的光学层厚度除以所述第二半导体层的光学层 厚度所得的值为1.2～3。

3.如权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

在所述光吸收层与所述第二导电型的半导体层之间形成有载流子 倍增层，该载流子倍增层对在所述光吸收层中产生的光载流子进行雪崩 倍增。

4.如权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

在所述第一导电型的分布布喇格反射层与所述光吸收层之间形成 有载流子倍增层，该载流子倍增层对在所述光吸收层中产生的光载流子 进行雪崩倍增。

5.如权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

从所述半导体衬底的背面侧射入光。

6.一种光半导体装置，其特征在于，

在半导体衬底上依次形成有第一导电型的分布布喇格反射层、光吸 收层和第二导电型的分布布喇格反射层，

所述第一导电型的分布布喇格反射层和所述第二导电型的分布布 喇格反射层具有：带隙波长小于入射光的波长并且具有第一折射率的第 一半导体层；带隙波长大于入射光的波长并且具有比所述第一折射率高 的第二折射率的第二半导体层，

所述第一半导体层的光学层厚度与所述第二半导体层的光学层厚 度之和为入射光的波长的一半，

所述第一半导体层的光学层厚度大于所述第二半导体层的光学层 厚度。

7.一种光半导体装置，其特征在于，

在半导体衬底上依次形成有第一导电型的分布布喇格反射层、活性 层和第二导电型的分布布喇格反射层，

所述第一导电型的分布布喇格反射层和所述第二导电型的分布布 喇格反射层具有：带隙波长小于出射光的波长并且具有第一折射率的第 一半导体层；带隙波长大于出射光的波长并且具有比所述第一折射率高 的第二折射率的第二半导体层，

所述第一半导体层的光学层厚度与所述第二半导体层的光学层厚 度之和为入射光的波长的一半，

所述第一半导体层的光学层厚度大于所述第二半导体层的光学层 厚度。