[发明专利]用于非易失性存储设备的编程方法

权利要求书

1.一种用于对多电平单元非易失性存储设备进行编程的方法，所述方 法包括：

将第一编程脉冲施加到非易失性存储设备的字线；

将第二编程脉冲施加到所述字线，其中第二编程脉冲的电压电平不同于 第一编程脉冲的电压电平；以及

将位线电压施加到与字线相关联的相应位线，其中所述位线电压根据将 要编程到与字线和位线相关联的多个存储单元的多个数据比特值、并响应于 第一编程脉冲或者第二编程脉冲而变化。

2.根据权利要求1的方法，其中所述第二编程脉冲在第一编程脉冲之 后被施加到所述字线。

3.根据权利要求2的方法，还包括：

在施加第二编程脉冲之后，施加验证电压到相应位线，其中所述验证电 压根据多个数据比特值而变化。

4.根据权利要求3的方法，其中根据所述多个数据比特值而将所述验 证电压顺序施加到位线。

5.根据权利要求3的方法，其中验证电压的相应电压电平小于第一编 程脉冲和第二编程脉冲。

6.根据权利要求3的方法，其中所述对多电平单元非易失性存储设备 进行编程的方法是包括多个编程循环的迭代方法，其中每个编程循环包括：

将第一编程脉冲施加到所述字线，并然后将第二编程脉冲施加到所述字 线，并然后将位线电压施加到连接到字线的相应位线，并且然后将验证电压 施加到相应位线。

7.根据权利要求6的方法，其中，对于在所述编程方法中依次执行的 每个编程循环，所述第一编程脉冲和第二编程脉冲分别具有增加的电压电 平。

8.根据权利要求1的方法，其中在施加第二编程脉冲之后施加第一编 程脉冲。

9.根据权利要求1的方法，其中第一编程脉冲的电压电平小于第二编 程脉冲的电压电平。

10.根据权利要求1的方法，其中同时编程所述多个存储单元。

11.根据权利要求10的方法，其中所述多个存储单元中的每一个存储 N个数据比特，其中N是大于1的自然数。

12.一种用于对非易失性存储设备进行编程的方法，所述方法包括：

执行编程操作，在该操作期间向字线施加至少一个编程脉冲，所述至少 一个编程脉冲与将要被编程到连接到字线的多个存储单元的多个第一至第 M数据比特值相关地变化，并且将位线电压施加到与字线相关联的相应位 线，其中所述位线电压根据将要编程到与字线和位线相关联的多个存储单元 的多个数据比特值、并响应于所述至少一个编程脉冲而变化；并且此后，

执行验证操作，其中验证操作的执行定时与所述多个第一至第M数据 比特值相关地变化。

13.根据权利要求12的方法，其中，在验证操作期间，将多个验证电 压施加到与字线相关联的相应位线，其中所述多个验证电压的相应电压电平 根据所述多个第一至第M数据比特值而变化。

14.根据权利要求12的方法，其中，当在执行与第j数据比特值相关 的编程操作之前执行与第i数据比特值相关的编程操作时，与第i数据比特 值的编程结果相关的验证电压施加次数大于与第j数据比特值的编程结果相 关的验证电压施加次数，其中i是范围在1和M之间的自然数，j是范围在 1和M之间的自然数。

15.根据权利要求12的方法，其中所施加的验证电压的次数为M。

16.根据权利要求14的方法，其中，当在执行与第j数据比特值相关 的编程操作之前执行与第i数据比特值相关的编程操作时，用于验证与第i 数据比特值相关的编程结果所需要的时间长于用于验证与第j数据比特值相 关的编程结果所需要的时间。

17.根据权利要求14的方法，其中同时编程连接到字线的所述多个存 储单元。

18.根据权利要求12的方法，其中所述多个存储单元中的每一个存储 N个数据比特，其中N是大于1的自然数。