[发明专利]使用非晶态硅感光体的图像形成装置

权利要求书

1.一种图像形成装置，其特征在于，

所述图像形成装置包括具有非晶态硅感光体的图像形成部，

所述非晶态硅感光体包括：

基体；以及

感光层，设置在所述基体上，该感光层包括在基体上顺序层叠的高电阻层、阻止电荷注入层、光导电层和表面保护层；其中，

所述高电阻层的膜厚在1～4μm的范围内，

所述感光层的膜厚在15～25μm的范围内，

且所述感光层的固体光电位的绝对值在20～100V的范围内。

2.根据权利要求1所述的图像形成装置，其特征在于，所述高电阻层的每单位膜厚的耐负电压在-450～-200V/μm的范围内。

3.根据权利要求1所述的图像形成装置，其特征在于，

所述高电阻层由含有氮原子的非晶态硅构成，并且，在设氮原子的含量为X摩尔、硅原子的含量为Y摩尔的情况下，式(X/(X+Y))×100％的值在15～50％的范围内。

4.根据权利要求1所述的图像形成装置，其特征在于，所述阻止电荷注入层由含有硼原子的非晶态硅构成。

5.根据权利要求1所述的图像形成装置，其特征在于，所述表面保护层由含有碳原子的非晶态硅构成。

6.根据权利要求1所述的图像形成装置，其特征在于，所述阻止电荷注入层的膜厚在2～10μm的范围内。

7.根据权利要求1所述的图像形成装置，其特征在于，所述光导电层的膜厚在10～21μm的范围内。

8.根据权利要求1所述的图像形成装置，其特征在于，所述表面保护层的膜厚在0.4～2μm的范围内。

9.根据权利要求1所述的图像形成装置，其特征在于，

所述高电阻层由含有氮原子的非晶态硅构成，并且，在设氮原子的含量为X摩尔、硅原子的含量为Y摩尔的情况下，式(X/(X+Y))×100％的值在15～50％的范围内，

所述阻止电荷注入层由含有硼原子的非晶态硅构成，

所述表面保护层由含有碳原子的非晶态硅构成。

10.根据权利要求1所述的图像形成装置，其特征在于，

所述阻止电荷注入层的膜厚在2～10μm的范围内，

所述光导电层的膜厚在10～21μm的范围内，

所述表面保护层的膜厚在0.4～2μm的范围内。

11.根据权利要求10所述的图像形成装置，其特征在于，所述非晶态硅感光体是所述感光层设置在作为所述基体的金属管坯上的感光鼓。