[发明专利]柔性石墨衬底多晶硅薄膜的制备方法

权利要求书

1、一种在柔性石墨衬底上生长柔性石墨/多晶硅薄膜的方法，用于制作多晶 硅薄膜太阳电池，其特征在于，以柔性石墨为衬底，利用化学气相沉积、电子 束蒸发或磁控溅射等方法制备多晶硅薄膜。

2、根据权利要求1所述的柔性石墨衬底多晶硅薄膜的制备方法，其特征在 于：以柔性石墨(又称为石墨纸或石墨箔)为衬底。

3、根据权利要求1所述的柔性石墨衬底多晶硅薄膜的制备方法，其特征在 于：以三氯氢硅或硅烷和氢气为原料(纯度：6N以上)，采用化学气相沉积(CVD) 方法在柔性石墨衬底上生长多晶硅薄膜。

4、根据权利要求1所述的柔性石墨衬底多晶硅薄膜的制备方法，其特征在 于：以多晶硅为原料(纯度：6N以上)，采用电子束蒸发(EBE)方法在柔性石 墨衬底上生长多晶硅薄膜。

5、根据权利要求1所述的柔性石墨衬底多晶硅薄膜的制备方法，其特征在 于：以多晶硅为原料(纯度：6N以上)，采用磁控溅射(MCS)方法在柔性石 墨衬底上生长多晶硅薄膜。