[发明专利]注射成形用模具及通过其成形的半导体封装和半导体封装的制造方法有效
申请号: | 200910009619.8 | 申请日: | 2009-01-23 |
公开(公告)号: | CN101499429A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 山本才气 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/28;B29C45/26 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 注射 成形 模具 通过 半导体 封装 制造 方法 | ||
1.一种注射成形用模具,是半导体封装成形用的注射成形用模具,所述注射成形用模具通过闭模而形成型腔,向所述型腔内注射树脂可注射成形半导体封装,
所述注射成形用模具具备定模及多个动模,其中所述定模及多个动模各自具有通过对它们进行闭模而可在内部形成型腔的内表面,其特征在于,
所述定模或动模具备与所述内表面连续而形成的浇口,用于向所述型腔内注射树脂,
所述多个动模的内表面具有朝向所述浇口距离逐渐接近的相互对置的第1模具面及第2模具面,
所述第1模具面或第2模具面在与所述浇口相邻的部分具有凹部。
2.根据权利要求1所述的注射成形用模具,其特征在于,
在所述定模和所述动模之间可配置引线框,
所述引线框的端面与所述动模的内表面的间隙内最窄的部位为由所述动模形成的型腔高度的1/4以下。
3.根据权利要求1或2所述的注射成形用模具,其特征在于,
在所述动模侧的型腔内配置模具镶块。
4.根据权利要求3所述的注射成形用模具,其特征在于,
使所述模具镶块配置为,所述内表面和所述模具镶块的距离的最近部分的距离为0.1mm以下。
5.一种半导体封装,其为,
由权利要求1至4中任意一项所述的注射成形用模具来成形。
6.一种半导体封装,配装有半导体元件,具有分别相对的封装上面及封装下面、和封装正面及封装背面,其中所述封装正面及封装背面与所述封装上面及封装下面邻接,其特征在于,
所述封装上面及封装下面形成为,使厚度从所述封装正面侧向封装背面侧变薄,
在所述封装下面以与所述封装背面相连的方式形成有突起部。
7.根据权利要求6所述的半导体封装,其特征在于,
设有所述突起的部分的半导体封装的最大厚度与所述封装正面侧的封装最大厚度相等或者比其薄。
8.根据权利要求6或7所述的半导体封装,其特征在于,
构成为在形成使所述封装背面的中央凹陷为凹状的台阶的同时,从所述凹状台阶的底面使所述突起突出,且所述突起的顶部收纳在凹状台阶内。
9.根据权利要求6或7所述的半导体封装,其特征在于,还具备:
具有凹部的封装本体,
使一端在所述凹部内露出,使另一端从所述封装本体表面突出,同时沿所述封装本体表面弯折的一对外部电极,以及
收容于所述凹部并与所述一对外部电极电连接的半导体发光元件;
所述半导体封装构成半导体发光装置。
10.一种半导体封装的制造方法,对半导体封装进行成形,所述半导体封装以使厚度从封装正面侧朝向封装背面侧逐渐变薄的形式形成有封装上面及封装下面,包括:
在定模和与所述定模相对的动模之间的预定位置上配置半导体封装的引线框的工序,
使定模闭模形成型腔的工序,所述定模在封装背面侧开口、向模具注入熔融树脂的浇口在所述半导体封装的厚度方向上的浇口直径比所述背面的未设置浇口的部分的封装的最大厚度大,并且与所述正面的封装的最大厚度相等或者比其小,
从所述定模朝向所述动模,从浇口向所述型腔内填充熔融树脂的工序,以及
在熔融树脂硬化后进行脱模的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造