[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体结构体(6)，具有半导体衬底(8)及在该半导体衬底(8)上 设置的外部连接用电极(14a)；

上部金属层(3)，具有连接焊盘部(2a)，该连接焊盘部(2a)形成 有第1开口部(5a)，该第1开口部(5a)与上述半导体结构体(6)的上 述外部连接用电极(14a)对应地形成；

绝缘膜(1)，设在上述外部连接用电极(14a)与连接焊盘部(2a)之 间，具有与上述第1开口部(5)连通并到达上述外部连接用电极(14)的 第2开口部(17)；

连接导体(21)，经由上述第1开口部(5)及上述第2开口部(17)， 将外部连接用电极(14a)和上述上部金属层(3)进行电连接；以及

掩模金属层(4)，形成在上述连接导体(21)与上述上部金属层(3) 之间，

上述掩模金属层(4)的一个面与上述上部金属层(3)接触，上述掩 模金属层(4)的另一个面与上述连接导体(21)接触，

上述连接导体(21)从上述上部金属层(3)突出。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述掩模金属层(4)具有比上述外部连接用电极(14a)大的平面尺 寸。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

上述上部金属层(3)的上述连接焊盘部(2a)具有与上述掩模金属层 (4)相同的平面尺寸。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

上述上部金属层(3)的上述连接焊盘部(2a)具有比上述掩模金属层 (4)的平面尺寸小的平面尺寸。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

上述外部连接用电极(14a)是柱状电极(83)。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述掩模金属层(4)由与上述上部金属层(3)不同的材料形成。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

上述连接导体(21)至少在与上述掩模金属层(4)接触的边界面上， 具有与上述掩模金属层(4)相同材料的基底金属层(23)。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述上部金属层(3)埋入上述绝缘膜(1)的下表面侧。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在上述半导体衬底(8)上形成保护膜(12)，上述外部连接用电极(14a) 构成为在上述保护膜(12)上形成的布线(14)的一部分。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体结构体(6)具有粘接层(7)，该粘接层(7)覆盖上述外 部连接用电极(14a)的上表面。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

上述粘接层(7)具有构成上述第2开口部(17)的一部分的开口部。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

上述绝缘膜(1)包含下层绝缘膜(1)，该下层绝缘膜(1)具有与上 述粘接层(7)及上述半导体结构体(6)对应的区域及其周围对应的区域。

13.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

包括保护金属层(82)，该保护金属层(82)形成在上述半导体结构 体(6)的外部连接用电极(14a)的与上述连接导体(21)的边界面侧。

14.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体结构体(6)具有防静电保护膜(81)，该防静电保护膜(81) 覆盖上述外部连接用电极(14a)的上表面。