[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种衬底，是在半导体发光元件的制造中使用的衬底，该衬底 是蓝宝石(C面、A面、R面)构成的晶体衬底，

用于生长半导体晶体的表面是具有成为曲面的斜面的凹凸面，

该凹凸面是在基准平面上配置点状的凹部或凸部而形成的凹凸面，

该凹凸面的凹部的深度为0.2微米～5微米。

2.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，

所述凹凸面上的凸部具有平坦的顶部。

3.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，

该衬底是带有偏角的衬底。

4.一种半导体发光元件的制造方法，具有利用权利要求1～3中任 一项所述的衬底使半导体晶体生长的工序。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，

所述半导体晶体是GaN系列半导体晶体。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，

该制造方法是GaN系列发光元件的制造方法。

7.一种GaN系列发光元件，包括权利要求1～3中任一项所述的 衬底。

8.一种半导体发光元件，具有以下元件结构：

在蓝宝石衬底的表面加工形成凹部的深度为0.2微米～5微米的凹 凸；

在所述蓝宝石衬底的表面上，或者介入缓冲层或者直接生长由未掺 杂GaN构成的晶体层，填埋该凹凸，该凹凸的凹部由所述未掺杂GaN 构成的晶体填充；

在该未掺杂GaN构成的晶体层上层叠由GaN系列半导体晶体所构 成的包含发光层的半导体晶体层，

且该发光层的全部被配置在该凸凹的上方。