[发明专利]光调制器件和光半导体装置

权利要求书

1.一种光调制器件，其特征在于，

具备：将输入光分路成第一输入光和第二输入光的光分路器；按照调制信号对所述第一输入光的强度进行调制的光强度调制器；对所述第二输入光的相位进行移相的可变光移相器；对合路了所述光强度调制器的输出光和所述可变光移相器的输出光的合路光进行输出的光合路器，

所述可变光移相器的移相量能够从外部进行控制。

2.如权利要求1所述的光调制器件，其特征在于，

在所述光合路器进行合路时，所述光强度调制器的输出光的强度比所述可变光移相器的输出光强。

3.如权利要求1所述的光调制器件，其特征在于，

所述可变光移相器具有：通过改变注入的电流而使所述第二输入光的波导的折射率变化的半导体激光器或半导体光放大器。

4.如权利要求1所述的光调制器件，其特征在于，

所述光强度调制器是电场吸收型光调制器或马赫-曾德尔型光调制器。

5.如权利要求1～4中任一项所述的光调制器件，其特征在于，

还具备：使所述第二输入光的强度衰减的可变光衰减器，

所述可变光衰减器的衰减量能够从外部控制。

6.如权利要求1～4中任一项所述的光调制器件，其特征在于，

基于所述光分路器的所述第一输入光与所述第二输入光的分路比，或基于所述光合路器的所述光强度调制器的输出光与所述可变光移相器的输出光的合成比，能够从外部控制。

7.如权利要求1～5中任一项所述的光调制器件，其特征在于，

所述可变光移相器与施加给所述光强度调制器的所述调制信号同步地工作。

8.一种光半导体装置，其特征在于，具备：

权利要求1～4中任一项所述的光调制器件；以及

控制电路，按照环境温度，控制所述可变光移相器的移相量，从而使所述光调制器件的输出光的特性的温度依赖性小于所述光强度调制器的输出光的特性的温度依赖性。

9.一种光半导体装置，其特征在于，具备：

权利要求5所述的光调制器件；以及

控制电路，按照环境温度，控制所述可变光移相器的移相量、和所述可变光衰减器的衰减量中的至少一个，从而使所述光调制器件的输出光的特性的温度依赖性小于所述光强度调制器的输出光的特性的温度依赖性。

10.一种光半导体装置，其特征在于，具备：

权利要求6所述的光调制器件；以及

控制电路，按照环境温度，控制所述可变光移相器的移相量、基于所述光分路器的所述第一输入光与所述第二输入光的分路比、和基于所述光合路器的所述光强度调制器的输出光与所述可变光移相器的输出光的合路比中的至少一个，从而使所述光调制器件的输出光的特性的温度依赖性小于所述光强度调制器的输出光的特性的温度依赖性。

11.一种光半导体装置，其特征在于，具备：

权利要求1～4中任一项所述的光调制器件；以及

控制电路，按照所述输入光的波长，控制所述可变光移相器的移相量，从而使所述光调制器件的输出光的特性的波长依赖性小于所述光强度调制器的输出光的特性的波长依赖性。

12.一种光半导体装置，其特征在于，具备：

权利要求5所述的光调制器件；以及

控制电路，按照所述输入光的波长，控制所述可变光移相器的移相量、和所述可变光衰减器的衰减量中的至少一个，从而使所述光调制器件的输出光的特性的波长依赖性小于所述光强度调制器的输出光的特性的波长依赖性。

13.一种光半导体装置，其特征在于，具备：

权利要求6所述的光调制器件；以及

控制电路，按照所述输入光的波长，控制所述可变光移相器的移相量、基于所述光分路器的所述第一输入光与所述第二输入光的分路比、和基于所述光合路器的所述光强度调制器的输出光与所述可变光移相器的输出光的合成比中的至少一个，从而使所述光调制器件的输出光的特性的波长依赖性小于所述光强度调制器的输出光的特性的波长依赖性。

14.如权利要求11所述的光半导体装置，其特征在于，

波长可变激光器与所述光调制器件被单片集成或混合集成。