[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种半导体显示器件，包括：

形成在衬底上的栅电极；

形成在栅电极上的栅绝缘膜；

形成在栅电极上包括半晶硅的第一半导体层，在该栅电极和该第一半 导体层之间夹所述栅绝缘膜；

形成在第一半导体层上的第二半导体层，其中所述第二半导体层具有 半晶硅且用作缓冲层；

形成在第一半导体层上具有n型导电型的一对第三半导体层，在该 第一半导体层和该对第三半导体层之间夹所述第二半导体层；

形成在该对第三半导体层之一上的第一导电层；以及

形成在该对第三半导体层的另一个上的第二导电层，

其中该第二半导体层不掺杂赋予一个导电型的杂质而形成。

2.一种半导体显示器件，包括：

形成在衬底上的栅电极；

形成在栅电极上的栅绝缘膜；

形成在栅电极上包括微晶硅的第一半导体层，在该栅电极和该第一半 导体层之间夹所述栅绝缘膜；

形成在第一半导体层上的第二半导体层，该第二半导体层具有微晶硅；

形成在第一半导体层上具有n型导电型的一对第三半导体层，在该 第一半导体层和该对第三半导体层之间夹所述第二半导体层；

形成在该对第三半导体层之一上的第一导电层；以及

形成在该对第三半导体层的另一个上的第二导电层，

其中该第二半导体层不掺杂赋予一个导电型的杂质而形成。

3.根据权利要求1或2的半导体显示器件，其中第一半导体层用p 型导电型的杂质掺杂。

4.根据权利要求1或2的半导体显示器件，其中该栅绝缘膜具有氮 化硅。

5.根据权利要求1或2的半导体显示器件，其中该一个导电型是n 型导电型。

6.根据权利要求1或2的半导体显示器件，其中该对第三半导体层 包括非晶硅。

7.根据权利要求1或2的半导体显示器件，其中第一半导体层包括 直径为0.5-20nm的晶粒。

8.一种半导体显示器件，包括：

形成在衬底上的栅电极；

形成在栅电极上的栅绝缘膜；

形成在栅电极上包括半晶硅的第一半导体层，在该栅电极和该第一半 导体层之间夹所述栅绝缘膜；

形成在第一半导体层上的第二半导体层，其中所述第二半导体层具有 半晶硅而用作缓冲层；

形成在第一半导体层上具有n型导电型的一对第三半导体层，在该 第一半导体层和该对第三半导体层之间夹所述第二半导体层，其中该第二半 导体层具有比该对第三半导体层低的导电性；

形成在该对第三半导体层之一上的第一导电层；

形成在该对第三半导体层的另一个上的第二导电层；以及

电连接到第一导电层和第二导电层之一的像素电极，

其中该第二半导体层不掺杂赋予一个导电型的杂质而形成。