[发明专利]存储器读取方法及存储器

说明书

技术领域

本发明是有关于一种存储器读取方法及存储器，且特别是有关于一种 可以扩大读取区间及降低读取扰乱的存储器读取方法及存储器。

背景技术

存储器被应用于现今多种数据储存的用途。存储器包括多种型式，例 如为多位阶单元(Multi-Level Cell，MLC)存储器等。请参照图1A，其 绘示传统多位阶单元的示意图。多位阶单元100包括左半单元110及右半 单元120。依据阈值电压分布的不同，多位阶单元100的每一个半单元可 以具有多个位。

兹以每一个半单元具有2个位为例做说明，请参照图1B，其绘示多 位阶单元100的阈值电压分布的分布图。其中，左半单元110及右半单元 120的阈值电压分布通常是依序被定义为(11，10，01，00)，然并不限于 此。于图1B中的每一个阈值电压分布都必须要尽可能地集中，以保留足 够的读取区间(read window)。

然而，因为第二位效应(second-bit effect)，右半单元120的阈值电压 会被左半单元110的阈值电压所影响，使得读取区间变小而导致右半单元 120于被读取时产生错误。此外，若用以读取的位线电压或字线电压过高， 则可能对左半单元110的低阈值电压产生影响，导致左半单元110于被读 取时产生读取扰乱(read disturbance)的现象。

发明内容

有鉴于此，本发明是有关于一种存储器读取方法及存储器，通过判断 相邻半单元的阈值电压的高低，据以利用不同的电压以读取目标半单元所 储存的数据，具有可以扩大读取区间及降低读取扰乱的优点。

根据本发明的第一方面，提出一种存储器读取方法，存储器包括至少 一存储单元，此存储单元包括一第一半单元及一第二半单元。存储器读取 方法包括下列步骤。施加一第一电压于存储单元以判断第一半单元的阈值 电压是否高于一特定值。若第一半单元的阈值电压高于特定值，施加一第 二电压于存储单元以读取第二半单元所储存的数据，第二电压高于第一电 压，否则施加一第三电压于存储单元以读取第二半单元所储存的数据，第 三电压低于第一电压。

根据本发明的第二方面，提出一种存储器，包括至少一存储单元以及 一偏压电路。此存储单元包括一第一半单元及一第二半单元。偏压电路用 以施加电压于存储单元。其中，偏压电路施加一第一电压于存储单元以判 断第一半单元的阈值电压是否高于一特定值。若第一半单元的阈值电压高 于特定值，偏压电路施加一第二电压于存储单元以读取第二半单元所储存 的数据，第二电压高于第一电压，否则偏压电路施加一第三电压于存储单 元以读取第二半单元所储存的数据，第三电压低于该第一电压。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配 合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1A绘示传统多位阶单元的示意图。

图1B绘示多位阶单元的阈值电压分布的分布图。

图2绘示依照本发明较佳实施例的存储器读取方法的流程图。

图3绘示依照本发明较佳实施例的存储器的部份电路图。

【主要元件符号说明】

100、310：多位阶单元

110：左半单元

120：右半单元

300：存储器

312：第一半单元

314：第二半单元

320：偏压电路

330：第一偏压产生器

340：第二偏压产生器

具体实施方式

本发明是提供一种存储器读取方法及存储器，通过判断相邻半单元的 阈值电压的高低，据以利用不同的电压以读取目标半单元所储存的数据， 故可以扩大(enlarge)读取区间(read window)及降低读取扰乱(read disturbance)。

于本发明下述的实施例中，兹举存储器为一多位阶单元存储器，及存 储单元为多位阶单元为例做说明，然并不限于此。