[发明专利]衬底加热设备、加热方法以及半导体装置制造方法

权利要求书

1.一种包括传导加热器的衬底加热设备，所述传导加热器布置成与处于降低压力的容器中所保持的衬底相对并且加热所述衬底，所述衬底加热设备包括：

布置在所述传导加热器中并连接至丝极电源以产生热电子的丝极；和

使所述热电子在所述丝极和所述传导加热器之间加速的加速电源，

其中所述丝极包括：

沿着与所述衬底同心的内圆以预定间隔形成的内周边部分，

在与所述内圆同心且具有大于所述内圆的直径的外圆上以预定间隔形成的外周边部分，和

通过连接各个内周边部分的端点和各个外周边部分的端点而形成的区域，

其中各个外周边部分通过连接在所述外圆上以预定间隔布置的两个端点而形成，并且

所述两个端点之一连接到所述内周边部分中最靠近的一个内周边部分的端点。

2.一种包括传导加热器的衬底加热设备，所述传导加热器布置成与处于降低压力的容器中所保持的衬底相对并且加热所述衬底，所述衬底加热设备包括：

布置在所述传导加热器中并连接至丝极电源以产生热电子的丝极；和

使所述热电子在所述丝极和所述传导加热器之间加速的加速电源，

其中所述丝极包括：

沿着与所述衬底同心的内圆以预定间隔形成的内周边部分，

在与所述内圆同心且具有大于所述内圆的直径的外圆上以预定间隔形成的外周边部分，和

通过连接各个内周边部分的端点和各个外周边部分的端点而形成的区域，

其中各个外周边部分由在所述外圆上以预定间隔布置的端点中的一个端点形成，并且

所述一个端点连接至所述内周边部分中最靠近的一个内周边部分的端点。

3.一种包括传导加热器的衬底加热设备，所述传导加热器布置成与处于降低压力的容器中所保持的衬底相对并且加热所述衬底，所述衬底加热设备包括：

布置在所述传导加热器中并连接至丝极电源以产生热电子的丝极；和

使所述热电子在所述丝极和所述传导加热器之间加速的加速电源，

其中所述丝极通过连接以预定间隔分割与所述衬底同心的内圆的圆周的内圆分割点和以预定间隔分割与所述内圆同心并具有大于所述内圆的直径的外圆的圆周的外圆分割点之中，最靠近的一个内圆分割点和最靠近的一个外圆分割点而形成。

4.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述丝极的两端连接至所述丝极电源。

5.根据权利要求3所述的设备，其中所述丝极的两端连接至所述丝极电源。

6.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述丝极通过在所述传导加热器中重叠多个具有相同布置的配线或多个具有不同布置的配线而形成。

7.根据权利要求3所述的设备，其中所述丝极通过在所述传导加热器中重叠多个具有相同布置的配线或多个具有不同布置的配线而形成。

8.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述衬底由单晶半导体和化合物半导体之一制成。

9.根据权利要求3所述的设备，其中所述衬底由单晶半导体和化合物半导体之一制成。

10.一种加热方法，包括使用根据权利要求1或2所述的衬底加热设备来加热衬底的加热步骤。

11.一种加热方法，包括使用根据权利要求3所述的衬底加热设备来加热衬底的加热步骤。

12.一种制造由单晶半导体和化合物半导体之一制成的半导体装置的半导体装置制造方法，包括使用根据权利要求10所述的加热方法来加热衬底的加热步骤。

13.一种制造由单晶半导体和化合物半导体之一制成的半导体装置的半导体装置制造方法，包括使用根据权利要求11所述的加热方法来加热衬底的加热步骤。