[发明专利]接合体的形成方法和接合体无效

专利信息
申请号: 200910009730.7 申请日: 2009-01-23
公开(公告)号: CN101491963A 公开(公告)日: 2009-07-29
发明(设计)人: 佐藤充;山本隆智 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: B32B37/10 分类号: B32B37/10;B32B37/06;B32B7/04;C23C16/02;C23C16/18;B41J2/16
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 接合 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种接合体的形成方法,其特征在于,具有如下工序:

在第1基材及第2基材上,分别用化学气相成膜法形成主要包含铜的接合膜的工序;

以所述接合膜相互对置的方式,在使所述第1基材和第2基材相互接触的状态下,对所述第1基材和第2基材间赋予压缩力使所述接合膜相互结合而得到接合体的工序。

2.根据权利要求1所述的接合体的形成方法,其中,在形成所述接合膜的工序中,以其表面粗糙度Ra(在JIS B0601中规定)为1nm~30nm的方式形成所述接合膜。

3.根据权利要求1或2所述的接合体的形成方法,其中,在得到所述接合体的工序中,赋予所述第1基材和第2基材间的压缩力为1MPa~100MPa。

4.根据权利要求1所述的接合体的形成方法,其中,在得到所述接合体的工序中,赋予所述压缩力的时间为5分钟~180分钟。

5.根据权利要求1所述的接合体的形成方法,其中,在得到所述接合体的工序中,将所述接合膜加热。

6.根据权利要求5所述的接合体的形成方法,其中,将所述接合膜加热的温度为75℃~200℃。

7.根据权利要求5或6所述的接合体的形成方法,其中,在得到所述接合体的工序中,当赋予所述第1基材和第2基材间的压缩力的大小为50[MPa]、赋予所述压缩力的时间为Y[分钟]、将所述接合膜加热的温度为T[K]、气体常数为R[J/(mol·K)]时,设定成满足1/Y≥1.35×109exp(-82×103/RT)的关系。

8.根据权利要求1所述的接合体的形成方法,其中,在得到所述接合体的工序中,所述压缩力的赋予在大气气氛中进行。

9.根据权利要求1所述的接合体的形成方法,其中,所述接合膜中含有的铜的含有率按原子比计为99at.%以上。

10.根据权利要求1所述的接合体的形成方法,其中,所述接合膜通过使用有机金属材料作为原材料的有机金属化学气相成膜法来形成。

11.根据权利要求10所述的接合体的形成方法,其中,所述有机金属材料为金属络合物。

12.根据权利要求10或11所述的接合体的形成方法,其中,所述接合膜中含有的杂质是所述有机金属材料中含有的有机物的部分残留物。

13.根据权利要求1所述的接合体的形成方法,其中,所述接合膜的平均厚度为1nm~1000nm。

14.根据权利要求1所述的接合体的形成方法,其中,所述第1基材和第2基材分别呈板状。

15.根据权利要求1所述的接合体的形成方法,其中,所述第1基材和第2基材的至少形成所述接合膜的部分以硅材料、金属材料或玻璃材料为主要材料来构成。

16.根据权利要求1所述的接合体的形成方法,其中,对所述第1基材和第2基材的具有所述接合膜的面,事先实施用于提高与所述接合膜的密合性的表面处理。

17.根据权利要求16所述的接合体的形成方法,其中,所述表面处理为等离子体处理。

18.根据权利要求1所述的接合体的形成方法,其中,在所述第1基材和第2基材与设于所述第1基材和第2基材的各所述接合膜之间,分别插入中间层。

19.根据权利要求18所述的接合体的形成方法,其中,所述中间层以氧化物类材料为主要材料来构成。

20.一种接合体,其特征在于,用权利要求1~19中任一项所述的接合体的形成方法来形成。

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